雙基二極管英文解釋翻譯、雙基二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 double-base diode

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

雙基二極管（Unijunction Transistor, UJT）是一種具有負阻特性的三端半導體器件，其英文直譯為"Double Base Diode"，但專業術語多采用"Unijunction Transistor"表述。該器件由發射極（E）和兩個基極（B1、B2）構成，其核心結構是N型矽基闆上的P型摻雜區域。

工作原理基于分壓原理：當發射極電壓達到峰點電壓（$V_P$）時，器件進入負阻區，電流突增而電壓下降，公式可表示為： $$ VP = η V{BB} + VD $$ 其中η為固有分壓比（0.5-0.8），$V{BB}$為基極間電壓，$V_D$為等效二極管壓降（約0.7V）。

主要應用包括：

張弛振蕩器：利用負阻特性産生鋸齒波
定時電路：精确控制時間常數
晶閘管觸發：作為可控矽的驅動元件
電壓敏感開關：工業控制系統中的保護裝置

技術參數參考國際電子技術委員會（IEC）标準60747-5，典型參數包含：

分壓比範圍：0.55-0.82
谷點電流：4-10mA
峰值發射極電流：2-40μA

網絡擴展解釋

雙基二極管（又稱單結晶體管，Unijunction Transistor, UJT）是一種具有特殊結構和功能的半導體器件，以下是其核心信息的綜合解釋：

一、基本定義與結構

雙基二極管是一種三端負阻器件，包含發射極（E）、第一基極（B1）和第二基極（B2），其内部僅有一個PN結。兩個基極之間由高電阻率的N型半導體連接，B1-B2極間電阻約為3-12kΩ。這種結構使其等效于一個二極管與兩個電阻的組合（如圖4-9d）。

二、工作原理與特性

負阻效應：當發射極電壓達到峰點電壓時，器件進入負阻區，電流增大而電壓下降，這一特性是構成振蕩電路的基礎。
導通條件：發射極電壓需超過分壓比（η）與B1-B2間電壓的乘積，公式為： $$ VE ≥ η cdot V{BB} $$ 其中分壓比η由内部結構決定（通常0.3-0.9）。

三、關鍵參數

參數	定義
峰點電壓/電流	器件開始導通時的E-B1電壓及對應電流
谷點電壓/電流	器件進入飽和區時的E-B1電壓及對應電流
分壓比（η）	E到B1的電壓占B1-B2總電壓的比例，決定觸發靈敏度

四、主要應用

張弛振蕩器：利用負阻效應産生脈沖信號，用于定時器和觸發電路。
電壓讀出電路：通過分壓比特性檢測電壓變化。
溫度穩定性：因半導體材料特性，在寬溫範圍内性能穩定。

五、與其他器件的區别

與三極管對比：雖外形類似，但雙基二極管僅一個PN結，且無放大功能。
與普通二極管對比：多出兩個基極，功能擴展至振蕩控制。

如需進一步了解具體電路設計或參數計算，可參考電子工程手冊或器件手冊。