双基二极管英文解释翻译、双基二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 double-base diode

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

双基二极管（Unijunction Transistor, UJT）是一种具有负阻特性的三端半导体器件，其英文直译为"Double Base Diode"，但专业术语多采用"Unijunction Transistor"表述。该器件由发射极（E）和两个基极（B1、B2）构成，其核心结构是N型硅基板上的P型掺杂区域。

工作原理基于分压原理：当发射极电压达到峰点电压（$V_P$）时，器件进入负阻区，电流突增而电压下降，公式可表示为： $$ VP = η V{BB} + VD $$ 其中η为固有分压比（0.5-0.8），$V{BB}$为基极间电压，$V_D$为等效二极管压降（约0.7V）。

主要应用包括：

张弛振荡器：利用负阻特性产生锯齿波
定时电路：精确控制时间常数
晶闸管触发：作为可控硅的驱动元件
电压敏感开关：工业控制系统中的保护装置

技术参数参考国际电子技术委员会（IEC）标准60747-5，典型参数包含：

分压比范围：0.55-0.82
谷点电流：4-10mA
峰值发射极电流：2-40μA

网络扩展解释

双基二极管（又称单结晶体管，Unijunction Transistor, UJT）是一种具有特殊结构和功能的半导体器件，以下是其核心信息的综合解释：

一、基本定义与结构

双基二极管是一种三端负阻器件，包含发射极（E）、第一基极（B1）和第二基极（B2），其内部仅有一个PN结。两个基极之间由高电阻率的N型半导体连接，B1-B2极间电阻约为3-12kΩ。这种结构使其等效于一个二极管与两个电阻的组合（如图4-9d）。

二、工作原理与特性

负阻效应：当发射极电压达到峰点电压时，器件进入负阻区，电流增大而电压下降，这一特性是构成振荡电路的基础。
导通条件：发射极电压需超过分压比（η）与B1-B2间电压的乘积，公式为： $$ VE ≥ η cdot V{BB} $$ 其中分压比η由内部结构决定（通常0.3-0.9）。

三、关键参数

参数	定义
峰点电压/电流	器件开始导通时的E-B1电压及对应电流
谷点电压/电流	器件进入饱和区时的E-B1电压及对应电流
分压比（η）	E到B1的电压占B1-B2总电压的比例，决定触发灵敏度

四、主要应用

张弛振荡器：利用负阻效应产生脉冲信号，用于定时器和触发电路。
电压读出电路：通过分压比特性检测电压变化。
温度稳定性：因半导体材料特性，在宽温范围内性能稳定。

五、与其他器件的区别

与三极管对比：虽外形类似，但双基二极管仅一个PN结，且无放大功能。
与普通二极管对比：多出两个基极，功能扩展至振荡控制。

如需进一步了解具体电路设计或参数计算，可参考电子工程手册或器件手册。