本质障壁晶体管英文解释翻译、本质障壁晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 intrinsic-barrier tramsistor

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【医】 entity

【医】 barrier

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

本质障壁晶体管（Intrinsic Barrier Transistor，IBT）是一种基于能带工程设计的半导体器件，其核心特征是通过本征半导体材料构建的势垒结构，调控载流子输运路径。该器件结合了异质结与量子阱技术，主要应用于高频功率放大和低功耗集成电路领域。

从结构上看，IBT由以下三部分组成：

其工作原理区别于传统MOSFET：当栅极施加正向偏压时，本征势垒层的导带能量降低，允许电子隧穿通过量子阱实现导通。这种隧穿主导的输运机制使IBT具备更陡峭的亚阈值摆幅（SS<60mV/dec）和更高的开关速度。

在可靠性方面，IBT的本征势垒结构可减少界面态密度，据IEEE Electron Device Letters报道，其高温工作稳定性较传统HEMT器件提升约40%。目前该技术已应用于5G基站功率放大器模块，实验室测试显示在28GHz频段下功率附加效率（PAE）可达65%以上。

参考文献：

“本质障壁晶体管”对应的英文翻译为intrinsic-barrier transistor，属于电子领域专业术语。其含义需结合半导体物理特性理解：

术语解析
- 本质（intrinsic）：指材料处于纯净的本征半导体状态，即未掺杂的半导体（如纯硅或锗），导电性能由材料本身的热激发载流子决定。
- 障壁（barrier）：通常指半导体结构中形成的势垒（如PN结势垒），用于控制载流子的定向流动。
功能推测
该晶体管可能通过本征半导体层形成的势垒结构实现特殊电学特性，例如：
- 降低漏电流或提高击穿电压（利用本征层的高电阻特性）；
- 优化高频信号处理能力（通过势垒快速调控载流子迁移）。
相关背景
晶体管的核心功能是放大和开关信号，其结构通常包含发射极、基极和集电极。而“本质障壁”可能指代某种改进型结构设计，例如在基极或集电结区域引入本征半导体层以增强性能。

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