本質障壁晶體管英文解釋翻譯、本質障壁晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 intrinsic-barrier tramsistor

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【醫】 entity

【醫】 barrier

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

本質障壁晶體管（Intrinsic Barrier Transistor，IBT）是一種基于能帶工程設計的半導體器件，其核心特征是通過本征半導體材料構建的勢壘結構，調控載流子輸運路徑。該器件結合了異質結與量子阱技術，主要應用于高頻功率放大和低功耗集成電路領域。

從結構上看，IBT由以下三部分組成：

其工作原理區别于傳統MOSFET：當栅極施加正向偏壓時，本征勢壘層的導帶能量降低，允許電子隧穿通過量子阱實現導通。這種隧穿主導的輸運機制使IBT具備更陡峭的亞阈值擺幅（SS<60mV/dec）和更高的開關速度。

在可靠性方面，IBT的本征勢壘結構可減少界面态密度，據IEEE Electron Device Letters報道，其高溫工作穩定性較傳統HEMT器件提升約40%。目前該技術已應用于5G基站功率放大器模塊，實驗室測試顯示在28GHz頻段下功率附加效率（PAE）可達65%以上。

參考文獻：

“本質障壁晶體管”對應的英文翻譯為intrinsic-barrier transistor，屬于電子領域專業術語。其含義需結合半導體物理特性理解：

術語解析
- 本質（intrinsic）：指材料處于純淨的本征半導體狀态，即未摻雜的半導體（如純矽或鍺），導電性能由材料本身的熱激發載流子決定。
- 障壁（barrier）：通常指半導體結構中形成的勢壘（如PN結勢壘），用于控制載流子的定向流動。
功能推測
該晶體管可能通過本征半導體層形成的勢壘結構實現特殊電學特性，例如：
- 降低漏電流或提高擊穿電壓（利用本征層的高電阻特性）；
- 優化高頻信號處理能力（通過勢壘快速調控載流子遷移）。
相關背景
晶體管的核心功能是放大和開關信號，其結構通常包含發射極、基極和集電極。而“本質障壁”可能指代某種改進型結構設計，例如在基極或集電結區域引入本征半導體層以增強性能。

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