化学气相淀积工艺英文解释翻译、化学气相淀积工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 chemical vapor deposition method

分词翻译：

化学的英语翻译：

chemistry
【化】 chemistry
【医】 chemistry; chemo-; spagyric medicine

气相的英语翻译：

【化】 gaseous phase

淀的英语翻译：

form sediment; settle; shallow lake

积的英语翻译：

accumulate; amass; long-standing; product; store up
【医】 product

工艺的英语翻译：

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

专业解析

化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一种在高温或等离子体环境下，利用气态前驱体在基底表面发生化学反应，生成固态薄膜材料的关键工艺技术。其核心原理是通过气相化学反应将目标材料原子或分子逐层沉积在衬底上，形成高纯度、高性能的薄膜层。

一、工艺原理与核心步骤

前驱体输送：气态反应物（如SiH₄、WF₆等）被载气（如H₂、N₂）送入反应腔室。
化学反应激活：在加热或等离子体能量作用下，前驱体分解或反应生成活性基团（如Si原子、W原子）。
表面吸附与沉积：活性基团在基底表面吸附、迁移并形成化学键，实现薄膜生长。
副产物排除：反应副产物（如HCl、HF）通过气流排出腔室。

二、技术分类与典型应用

常压CVD (APCVD)：用于二氧化硅钝化层沉积，操作压力接近大气压。
低压CVD (LPCVD)：制备多晶硅栅极和氮化硅掩膜层，均匀性高。
等离子体增强CVD (PECVD)：低温沉积氮化硅钝化膜，适用于温度敏感器件。
金属有机CVD (MOCVD)：生长Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（如GaN LED外延层）。

三、关键工艺参数

温度控制：影响反应速率与薄膜结晶性（如LPCVD多晶硅需600°C）
气压调节：决定膜厚均匀性与台阶覆盖能力
气体比例：调节薄膜成分（如Si₃N₄与SiNₓHᵧ的氮硅比）
沉积速率：典型值10-1000 nm/min，影响生产效率与缺陷密度

四、行业权威定义参考

根据国际半导体技术路线图（ITRS），CVD被定义为“通过气相化学反应在衬底表面可控沉积固态材料的工艺”（来源：International Technology Roadmap for Semiconductors）。美国国家标准与技术研究院（NIST）进一步明确其反应通式：

ce{A(g) + B(g) -> C(s) + D(g)}

其中气态前驱体A、B反应生成固态产物C与气态副产物D（来源：NIST Handbook of Semiconductor Manufacturing）。

五、典型应用场景

集成电路制造：晶体管栅极氧化层（SiO₂）、金属互连阻挡层（TiN）
光电器件：太阳能电池减反膜（SiNₓ）、LED外延片（GaAs）
前沿材料：石墨烯合成、碳纳米管生长、超硬涂层（金刚石薄膜）

注：工艺细节可参考《薄膜沉积技术手册》（Handbook of Thin Film Deposition, Elsevier）及IEEE电子器件汇刊（IEEE Transactions on Electron Devices）相关研究。

网络扩展解释

化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一种通过气态或蒸汽态物质在基材表面发生化学反应，生成固态薄膜的工艺技术。以下是其核心要点：

1.基本原理

CVD的核心是将含有目标材料元素的气态前驱体（如SiH₄、WF₆等）引入反应室，通过高温、等离子体或光能激活，促使气体在基材表面发生化学反应（如分解、氧化、还原），最终形成固态沉积层。过程分为四阶段：

扩散：反应气体向基材表面扩散；
吸附：气体吸附于基材表面；
反应：化学反应生成固态产物；
脱附：副产物气体脱离表面并排出。

2.工艺特点

适用性广：可沉积金属（如钨）、陶瓷（如氮化硅）、半导体（如多晶硅）等多种材料；
均匀性高：能在复杂形状的基材上形成均匀薄膜；
高纯度：反应过程可控，薄膜致密且杂质少；
温度需求：传统CVD需高温（500-1200℃），但等离子增强CVD（PECVD）可降低温度。

3.主要应用领域

半导体制造：沉积介电层（如SiO₂）、金属互连层（如铜）及保护层；
涂层技术：刀具耐磨涂层（如金刚石、TiN）；
功能材料：制备光学薄膜、耐腐蚀涂层及生物医用材料。

4.与其他技术的区别

CVD属于化学沉积，需通过化学反应生成薄膜；而物理气相沉积（PVD）通过物理过程（如溅射、蒸发）转移材料，两者在原理和应用场景上差异显著。

CVD技术通过精准控制气相反应，实现了高性能薄膜的制备，是半导体、材料科学等领域的核心工艺之一。更多技术细节可参考权威文献或行业标准。