化學氣相澱積工藝英文解釋翻譯、化學氣相澱積工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 chemical vapor deposition method

分詞翻譯：

化學的英語翻譯：

chemistry
【化】 chemistry
【醫】 chemistry; chemo-; spagyric medicine

氣相的英語翻譯：

【化】 gaseous phase

澱的英語翻譯：

form sediment; settle; shallow lake

積的英語翻譯：

accumulate; amass; long-standing; product; store up
【醫】 product

工藝的英語翻譯：

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

專業解析

化學氣相澱積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種在高溫或等離子體環境下，利用氣态前驅體在基底表面發生化學反應，生成固态薄膜材料的關鍵工藝技術。其核心原理是通過氣相化學反應将目标材料原子或分子逐層沉積在襯底上，形成高純度、高性能的薄膜層。

一、工藝原理與核心步驟

前驅體輸送：氣态反應物（如SiH₄、WF₆等）被載氣（如H₂、N₂）送入反應腔室。
化學反應激活：在加熱或等離子體能量作用下，前驅體分解或反應生成活性基團（如Si原子、W原子）。
表面吸附與沉積：活性基團在基底表面吸附、遷移并形成化學鍵，實現薄膜生長。
副産物排除：反應副産物（如HCl、HF）通過氣流排出腔室。

二、技術分類與典型應用

常壓CVD (APCVD)：用于二氧化矽鈍化層沉積，操作壓力接近大氣壓。
低壓CVD (LPCVD)：制備多晶矽栅極和氮化矽掩膜層，均勻性高。
等離子體增強CVD (PECVD)：低溫沉積氮化矽鈍化膜，適用于溫度敏感器件。
金屬有機CVD (MOCVD)：生長Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體（如GaN LED外延層）。

三、關鍵工藝參數

溫度控制：影響反應速率與薄膜結晶性（如LPCVD多晶矽需600°C）
氣壓調節：決定膜厚均勻性與台階覆蓋能力
氣體比例：調節薄膜成分（如Si₃N₄與SiNₓHᵧ的氮矽比）
沉積速率：典型值10-1000 nm/min，影響生産效率與缺陷密度

四、行業權威定義參考

根據國際半導體技術路線圖（ITRS），CVD被定義為“通過氣相化學反應在襯底表面可控沉積固态材料的工藝”（來源：International Technology Roadmap for Semiconductors）。美國國家标準與技術研究院（NIST）進一步明确其反應通式：

ce{A(g) + B(g) -> C(s) + D(g)}

其中氣态前驅體A、B反應生成固态産物C與氣态副産物D（來源：NIST Handbook of Semiconductor Manufacturing）。

五、典型應用場景

集成電路制造：晶體管栅極氧化層（SiO₂）、金屬互連阻擋層（TiN）
光電器件：太陽能電池減反膜（SiNₓ）、LED外延片（GaAs）
前沿材料：石墨烯合成、碳納米管生長、超硬塗層（金剛石薄膜）

注：工藝細節可參考《薄膜沉積技術手冊》（Handbook of Thin Film Deposition, Elsevier）及IEEE電子器件彙刊（IEEE Transactions on Electron Devices）相關研究。

網絡擴展解釋

化學氣相澱積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種通過氣态或蒸汽态物質在基材表面發生化學反應，生成固态薄膜的工藝技術。以下是其核心要點：

1.基本原理

CVD的核心是将含有目标材料元素的氣态前驅體（如SiH₄、WF₆等）引入反應室，通過高溫、等離子體或光能激活，促使氣體在基材表面發生化學反應（如分解、氧化、還原），最終形成固态沉積層。過程分為四階段：

擴散：反應氣體向基材表面擴散；
吸附：氣體吸附于基材表面；
反應：化學反應生成固态産物；
脫附：副産物氣體脫離表面并排出。

2.工藝特點

適用性廣：可沉積金屬（如鎢）、陶瓷（如氮化矽）、半導體（如多晶矽）等多種材料；
均勻性高：能在複雜形狀的基材上形成均勻薄膜；
高純度：反應過程可控，薄膜緻密且雜質少；
溫度需求：傳統CVD需高溫（500-1200℃），但等離子增強CVD（PECVD）可降低溫度。

3.主要應用領域

半導體制造：沉積介電層（如SiO₂）、金屬互連層（如銅）及保護層；
塗層技術：刀具耐磨塗層（如金剛石、TiN）；
功能材料：制備光學薄膜、耐腐蝕塗層及生物醫用材料。

4.與其他技術的區别

CVD屬于化學沉積，需通過化學反應生成薄膜；而物理氣相沉積（PVD）通過物理過程（如濺射、蒸發）轉移材料，兩者在原理和應用場景上差異顯著。

CVD技術通過精準控制氣相反應，實現了高性能薄膜的制備，是半導體、材料科學等領域的核心工藝之一。更多技術細節可參考權威文獻或行業标準。