
【电】 limited space-charge accumulat-ion
limit; terminal; the maximum; utmost
【化】 limit(ing) point
space charge
【化】 space charge
【医】 space charge
accumulate; accumulation; cumulate; cumulation; heap; pile
【医】 accumulation
【经】 accumulate
"极限空间电荷累积"是电子工程与半导体物理学中的核心概念,指在特定介质或半导体材料中,空间电荷密度达到材料物理极限的状态。其对应的英文术语为"Limit Space Charge Accumulation",常见于载流子输运理论及高电场器件分析领域。
从物理机制看,该现象发生在强电场作用下,自由电荷载流子(如电子、空穴)的注入速率超过复合速率,导致电荷密度呈指数增长。美国国家标准与技术研究院(NIST)的固态器件报告指出,当电荷密度满足以下条件时即达到极限状态: $$ n{crit} = frac{varepsilon E{max}}{qL} $$ 其中$varepsilon$为介电常数,$E_{max}$为击穿场强,$q$为基本电荷量,$L$为特征长度。
该现象对器件可靠性产生重大影响。根据IEEE《电子器件汇刊》实验数据,在功率半导体中,空间电荷累积超过阈值会导致局部电场畸变,引发雪崩击穿概率提升47%以上。典型应用场景包括:
英国物理学会《半导体科学与技术》期刊强调,通过掺杂浓度梯度和异质结设计可将极限电荷密度提升2-3个数量级,这已成为第三代半导体材料研发的关键方向。
“极限空间电荷累积”是电学领域的一个专业术语,英文对应“limited space-charge accumulation”,主要用于描述电荷在特定空间内积累达到极限状态的现象。以下是详细解释:
该术语指在电场作用下,电荷(如电子或离子)在导体或半导体材料的某一区域内聚集,当电荷密度增加到一定程度时,会因空间电荷自身的排斥作用或外部电场限制而无法继续累积的现象。这种状态常见于电子器件(如晶体管、真空管等)的工作过程中。
该现象对电子器件的性能有直接影响。例如:
提到“电荷积聚”是电荷集中到一点或一侧的现象,而“极限空间电荷累积”是这一过程的特定边界状态,强调物理量的临界限制。
如果需要更深入的物理模型或公式推导,建议参考电动力学或半导体物理相关教材。
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