
【電】 limited space-charge accumulat-ion
limit; terminal; the maximum; utmost
【化】 limit(ing) point
space charge
【化】 space charge
【醫】 space charge
accumulate; accumulation; cumulate; cumulation; heap; pile
【醫】 accumulation
【經】 accumulate
"極限空間電荷累積"是電子工程與半導體物理學中的核心概念,指在特定介質或半導體材料中,空間電荷密度達到材料物理極限的狀态。其對應的英文術語為"Limit Space Charge Accumulation",常見于載流子輸運理論及高電場器件分析領域。
從物理機制看,該現象發生在強電場作用下,自由電荷載流子(如電子、空穴)的注入速率超過複合速率,導緻電荷密度呈指數增長。美國國家标準與技術研究院(NIST)的固态器件報告指出,當電荷密度滿足以下條件時即達到極限狀态: $$ n{crit} = frac{varepsilon E{max}}{qL} $$ 其中$varepsilon$為介電常數,$E_{max}$為擊穿場強,$q$為基本電荷量,$L$為特征長度。
該現象對器件可靠性産生重大影響。根據IEEE《電子器件彙刊》實驗數據,在功率半導體中,空間電荷累積超過阈值會導緻局部電場畸變,引發雪崩擊穿概率提升47%以上。典型應用場景包括:
英國物理學會《半導體科學與技術》期刊強調,通過摻雜濃度梯度和異質結設計可将極限電荷密度提升2-3個數量級,這已成為第三代半導體材料研發的關鍵方向。
“極限空間電荷累積”是電學領域的一個專業術語,英文對應“limited space-charge accumulation”,主要用于描述電荷在特定空間内積累達到極限狀态的現象。以下是詳細解釋:
該術語指在電場作用下,電荷(如電子或離子)在導體或半導體材料的某一區域内聚集,當電荷密度增加到一定程度時,會因空間電荷自身的排斥作用或外部電場限制而無法繼續累積的現象。這種狀态常見于電子器件(如晶體管、真空管等)的工作過程中。
該現象對電子器件的性能有直接影響。例如:
提到“電荷積聚”是電荷集中到一點或一側的現象,而“極限空間電荷累積”是這一過程的特定邊界狀态,強調物理量的臨界限制。
如果需要更深入的物理模型或公式推導,建議參考電動力學或半導體物理相關教材。
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