晶体管载子英文解释翻译、晶体管载子的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transistor carrier

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【电】 carrier

晶体管载子（Transistor Carrier）是半导体器件工作的核心物理基础，指在晶体管内部携带电荷并形成电流的可移动带电粒子。根据电荷极性可分为两类：

电子（Electrons）
带负电荷（-q），在N型半导体中作为多数载流子存在，在外加电场作用下形成电子电流。电子迁移率通常高于空穴，对高频晶体管性能至关重要。
空穴（Holes）
带正电荷（+q），是价带电子跃迁后留下的空缺，等效为正电荷载体。在P型半导体中作为多数载流子，其运动形成空穴电流。空穴迁移率影响PN结的导通特性。

载子的核心作用机制：

晶体管通过基极电压控制发射结与集电结的偏置状态，调节载子注入、扩散与收集过程。例如在BJT中，发射极注入载子（NPN为电子，PNP为空穴）穿越基区扩散至集电极，形成放大电流。载子浓度梯度与复合率直接决定器件的电流增益与频率响应。

关键物理参数：

载流子浓度：受掺杂浓度与温度影响，公式为：
$$n_i = n cdot p$$

其中 (n_i) 为本征载流子浓度，(n) 和 (p) 分别为电子与空穴浓度。

权威参考文献：

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley), 载子输运模型章节.
R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals (Addison-Wesley), PN结载子注入分析.
IEEE Xplore: "Carrier Transport in Modern Transistors" (DOI: 10.1109/JPROC.2020.3045766).

“晶体管载子”是“晶体管载流子”的简称，指半导体器件中参与导电的带电粒子。以下是详细解释：

1. 定义与核心概念载流子是半导体中携带电荷形成电流的基本粒子，包括电子（带负电）和空穴（带正电）。在晶体管中，这些载流子的运动决定了器件的导电特性。例如双极型晶体管（BJT）工作时，电子和空穴同时参与导电。

2. 晶体管中的分类作用

3. 载流子行为的影响因素载流子寿命、复合效应（如Auger复合）以及温度变化都会显著影响晶体管电流增益。例如低温环境下，载流子迁移率降低会导致器件性能变化。

术语说明：英文文献中常将“载流子”译为carrier，如晶体管载流子寿命描述为“carrier lifetime”。需注意不同语境下该词可能特指多数载流子或少数载流子。

建议参考半导体物理教材或权威文献（如IEEE论文）获取更深入的载流子输运模型分析。