射极半导体英文解释翻译、射极半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 emitter semiconductro

分词翻译：

射极的英语翻译：

【电】 emitter

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

在电子工程领域，"射极半导体"（Emitter Semiconductor）特指双极结型晶体管（BJT）中发射极区域所使用的半导体材料。该区域负责向基区注入载流子（电子或空穴），是晶体管电流放大的关键组成部分。其核心特性与作用如下：

一、术语定义与物理特性

1. 结构定位

   在NPN型晶体管中，射极半导体为N型掺杂材料（如磷掺杂硅），通过高浓度掺杂促进电子注入基区；PNP型则对应P型材料（如硼掺杂硅），注入空穴。

2. 载流子注入机制

   射极-基极结正向偏置时，高掺杂的射极半导体向低掺杂基区注入少数载流子，形成发射极电流。注入效率公式为：

   $$gamma = frac{I{nE}}{I{nE} + I{pE}}$$

   其中$I{nE}$为电子电流，$I_{pE}$为空穴电流，高掺杂设计可提升γ值接近1。

二、材料与工艺要求

• 掺杂浓度：通常达10¹⁹ cm⁻³量级，显著高于基区（10¹⁷ cm⁻³）
• 能带设计：窄禁带材料（如SiGe合金）可增强载流子注入效率
• 界面优化：射极-基极结需原子级平整界面以降低复合损耗

三、技术演进

现代异质结双极晶体管（HBT）采用渐变能带射极结构（如AlGaAs/GaAs），通过能带工程突破传统同质结的效率限制，实现高频高增益特性。

权威参考来源

1. 《半导体器件物理与工艺》（Neamen, D.A.）第7章
2. IEEE双极技术会议：发射区掺杂模型
3. 应用物理评论：HBT射极结构设计
4. 半导体制造国际会议：SiGe射极工艺

网络扩展解释

“射极半导体”这一表述在专业术语中并不常见，可能是“发射极”与“半导体”的组合词。结合搜索结果，可分别解释如下：

1.发射极（Emitter）

发射极是半导体三极管（晶体管）中的一个电极，符号为E，与基极（B）、集电极（C）共同构成晶体管的三端结构。其核心作用是通过施加正向电压，向基区注入载流子（如电子或空穴），从而控制集电极电流，实现放大或开关功能。

2.半导体（Semiconductor）

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料，如硅（Si）、锗（Ge）等。其特性包括：

• 温度敏感性：导电性随温度升高而增强；
• 掺杂可控性：通过添加杂质可显著改变导电性；
• 单向导电性：用于制作二极管、晶体管等器件。

3.组合词的可能含义

若将“射极半导体”视为一个整体，可能指以下两种情况：

1. 发射极材料：指晶体管中发射极使用的半导体材料（如掺杂硅）。
2. 发射极相关器件：如某些场效应管中与源极/漏极连接的半导体结构。

补充说明

• 专业术语中更常用“发射极”（Emitter）而非“射极”。
• 晶体管的工作原理依赖于半导体材料的特性，例如通过掺杂形成PN结，实现载流子的定向运动。

如需进一步了解半导体器件结构或发射极的具体应用场景，可参考电子工程相关教材或专业文献。

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