射極半導體英文解釋翻譯、射極半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 emitter semiconductro

分詞翻譯：

射極的英語翻譯：

【電】 emitter

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

在電子工程領域，"射極半導體"（Emitter Semiconductor）特指雙極結型晶體管（BJT）中發射極區域所使用的半導體材料。該區域負責向基區注入載流子（電子或空穴），是晶體管電流放大的關鍵組成部分。其核心特性與作用如下：

一、術語定義與物理特性

1. 結構定位

   在NPN型晶體管中，射極半導體為N型摻雜材料（如磷摻雜矽），通過高濃度摻雜促進電子注入基區；PNP型則對應P型材料（如硼摻雜矽），注入空穴。

2. 載流子注入機制

   射極-基極結正向偏置時，高摻雜的射極半導體向低摻雜基區注入少數載流子，形成發射極電流。注入效率公式為：

   $$gamma = frac{I{nE}}{I{nE} + I{pE}}$$

   其中$I{nE}$為電子電流，$I_{pE}$為空穴電流，高摻雜設計可提升γ值接近1。

二、材料與工藝要求

• 摻雜濃度：通常達10¹⁹ cm⁻³量級，顯著高于基區（10¹⁷ cm⁻³）
• 能帶設計：窄禁帶材料（如SiGe合金）可增強載流子注入效率
• 界面優化：射極-基極結需原子級平整界面以降低複合損耗

三、技術演進

現代異質結雙極晶體管（HBT）采用漸變能帶射極結構（如AlGaAs/GaAs），通過能帶工程突破傳統同質結的效率限制，實現高頻高增益特性。

權威參考來源

1. 《半導體器件物理與工藝》（Neamen, D.A.）第7章
2. IEEE雙極技術會議：發射區摻雜模型
3. 應用物理評論：HBT射極結構設計
4. 半導體制造國際會議：SiGe射極工藝

網絡擴展解釋

“射極半導體”這一表述在專業術語中并不常見，可能是“發射極”與“半導體”的組合詞。結合搜索結果，可分别解釋如下：

1.發射極（Emitter）

發射極是半導體三極管（晶體管）中的一個電極，符號為E，與基極（B）、集電極（C）共同構成晶體管的三端結構。其核心作用是通過施加正向電壓，向基區注入載流子（如電子或空穴），從而控制集電極電流，實現放大或開關功能。

2.半導體（Semiconductor）

半導體是導電性介于導體和絕緣體之間的材料，如矽（Si）、鍺（Ge）等。其特性包括：

• 溫度敏感性：導電性隨溫度升高而增強；
• 摻雜可控性：通過添加雜質可顯著改變導電性；
• 單向導電性：用于制作二極管、晶體管等器件。

3.組合詞的可能含義

若将“射極半導體”視為一個整體，可能指以下兩種情況：

1. 發射極材料：指晶體管中發射極使用的半導體材料（如摻雜矽）。
2. 發射極相關器件：如某些場效應管中與源極/漏極連接的半導體結構。

補充說明

• 專業術語中更常用“發射極”（Emitter）而非“射極”。
• 晶體管的工作原理依賴于半導體材料的特性，例如通過摻雜形成PN結，實現載流子的定向運動。

如需進一步了解半導體器件結構或發射極的具體應用場景，可參考電子工程相關教材或專業文獻。

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