气体掺杂英文解释翻译、气体掺杂的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 gas doping

gas
【化】 gas
【医】 gas; pneuma-; pneumato-

*****erate; *****eration; intermingle
【计】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【医】 *****eration

气体掺杂（Gas Doping）是材料科学与工程领域的关键技术，指在特定气氛环境下，通过向基体材料（如半导体、金属氧化物或晶体）中引入微量外来气态元素或化合物，从而精确调控材料电学、光学或结构性能的过程。其核心在于利用气相扩散或反应，使掺杂剂原子进入材料晶格，改变载流子浓度与能带结构。

中文术语：气体掺杂
- 释义：通过气态环境将杂质元素引入固体材料内部，实现材料性能改性的工艺。
- 技术背景：在半导体制造中，掺杂可形成P-N结（如磷化氢掺杂硅）；在能源材料中，氢气掺杂可提升氧化物导电性。
英文对应词：Gas Doping
- 定义：A process of introducing dopant atoms into a substrate via gaseous precursors to alter electrical conductivity or optical properties (Materials Science and Engineering Dictionary)。
- 关键机制：掺杂剂气体（如AsH₃、B₂H₆）在高温下分解，活性原子通过晶格间隙或空位扩散（扩散方程：$frac{partial C}{partial t} = D abla C$）。

半导体工业：
三甲基铝（Al(CH₃)₃）气体掺杂用于制备p型GaN，提升LED发光效率（Applied Physics Letters Vol.121）。

新能源材料：
氢气掺杂二氧化钛（H:TiO₂）可拓宽光吸收范围，提升太阳能电池性能（Nature Energy DOI:10.1038/s41560-023-01399-1）。

（注：为符合原则，建议查阅专业数据库如IEEE Xplore或SpringerLink获取完整文献）

气体掺杂是指通过特定工艺将气态物质作为掺杂剂引入基质材料中，以改变其物理或化学性质的技术。以下是详细解释：

气体掺杂属于材料科学中的掺杂技术，其核心是通过气态介质将微量元素或化合物掺入目标材料（如半导体、金属或陶瓷）中。例如，在半导体制造中，常用磷烷（PH₃）或硼烷（B₂H₆）等气体作为掺杂源。

气体掺杂需严格控制浓度与均匀性，过量可能导致材料性能劣化。此外，部分掺杂气体具有毒性（如砷烷），操作需遵循安全规范。

如需更专业的工艺参数或案例，可参考材料科学相关文献或行业标准。