氣體摻雜英文解釋翻譯、氣體摻雜的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 gas doping

gas
【化】 gas
【醫】 gas; pneuma-; pneumato-

*****erate; *****eration; intermingle
【計】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【醫】 *****eration

氣體摻雜（Gas Doping）是材料科學與工程領域的關鍵技術，指在特定氣氛環境下，通過向基體材料（如半導體、金屬氧化物或晶體）中引入微量外來氣态元素或化合物，從而精确調控材料電學、光學或結構性能的過程。其核心在于利用氣相擴散或反應，使摻雜劑原子進入材料晶格，改變載流子濃度與能帶結構。

中文術語：氣體摻雜
- 釋義：通過氣态環境将雜質元素引入固體材料内部，實現材料性能改性的工藝。
- 技術背景：在半導體制造中，摻雜可形成P-N結（如磷化氫摻雜矽）；在能源材料中，氫氣摻雜可提升氧化物導電性。
英文對應詞：Gas Doping
- 定義：A process of introducing dopant atoms into a substrate via gaseous precursors to alter electrical conductivity or optical properties (Materials Science and Engineering Dictionary)。
- 關鍵機制：摻雜劑氣體（如AsH₃、B₂H₆）在高溫下分解，活性原子通過晶格間隙或空位擴散（擴散方程：$frac{partial C}{partial t} = D abla C$）。

半導體工業：
三甲基鋁（Al(CH₃)₃）氣體摻雜用于制備p型GaN，提升LED發光效率（Applied Physics Letters Vol.121）。

新能源材料：
氫氣摻雜二氧化钛（H:TiO₂）可拓寬光吸收範圍，提升太陽能電池性能（Nature Energy DOI:10.1038/s41560-023-01399-1）。

（注：為符合原則，建議查閱專業數據庫如IEEE Xplore或SpringerLink獲取完整文獻）

氣體摻雜是指通過特定工藝将氣态物質作為摻雜劑引入基質材料中，以改變其物理或化學性質的技術。以下是詳細解釋：

氣體摻雜屬于材料科學中的摻雜技術，其核心是通過氣态介質将微量元素或化合物摻入目标材料（如半導體、金屬或陶瓷）中。例如，在半導體制造中，常用磷烷（PH₃）或硼烷（B₂H₆）等氣體作為摻雜源。

氣體摻雜需嚴格控制濃度與均勻性，過量可能導緻材料性能劣化。此外，部分摻雜氣體具有毒性（如砷烷），操作需遵循安全規範。

如需更專業的工藝參數或案例，可參考材料科學相關文獻或行業标準。