齐纳英文解释翻译、齐纳的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 Zener

all ready; neat; similar; simultaneously; together; uniform
【医】 trans-

accept; admit; receive
【计】 nano

在汉英词典语境下，“齐纳”作为电子工程术语使用时，其核心含义指向齐纳二极管（Zener Diode），这是一种特殊的半导体器件。以下从专业角度详细解释其定义、原理与应用：

齐纳二极管是一种利用反向击穿效应实现电压稳定功能的半导体器件。当施加的反向电压达到其特定阈值（称为“齐纳电压”，符号为 ( V_Z )）时，二极管进入击穿区，电流急剧增大而两端电压保持基本恒定。这一特性使其成为电路中的精密电压基准源或过压保护元件。

齐纳二极管的工作依赖于两种物理现象：

齐纳击穿（Zener Breakdown）
当 ( V_Z < 5V ) 时，高浓度掺杂导致耗尽层极窄，强电场直接破坏共价键产生载流子。该过程具有负温度系数（电压随温度升高而下降）。

雪崩击穿（Avalanche Breakdown）
当 ( V_Z > 7V ) 时，载流子加速撞击原子引发链式倍增效应。具有正温度系数（电压随温度升高而上升）。

注：( 5V sim 7V ) 区间可能混合两种效应，温度系数趋近零。

电路符号：

——|◁|——（阴极侧添加“Z”字形或横杠标记）

“齐纳”之名源于美国物理学家克拉伦斯·齐纳（Clarence Zener）。他于1934年首次在理论上预言了半导体中的场致击穿现象（Zener Effect），该理论为后续二极管设计奠定基础。贝尔实验室在1950年代利用此原理制成首款商用稳压二极管。

国际电工委员会（IEC）标准
IEC 60747系列标准定义半导体器件术语与测试方法，涵盖齐纳二极管参数规范。

来源：International Electrotechnical Commission

IEEE电子器件协会
《Journal of Electron Devices Society》刊载击穿机制研究，如论文 "Zener Breakdown in Highly Doped PN Junctions"（2018）。

来源：Institute of Electrical and Electronics Engineers

经典教材
《Microelectronic Circuits》（Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith）第3章详解二极管模型与应用电路。

来源：Oxford University Press

“齐纳”一词在不同领域有不同含义，需结合语境理解：

珠宝行业术语
源于英文“carat”（缩写ct），是衡量宝石重量的国际标准单位，1克拉=0.2克。该词可能通过音译或行业演变形成“齐纳”的称呼，但需注意“carat”更常见的中文译法为“克拉”。
法语人名音译
在法语中，“Zine El Abidine”常音译为“齐纳·阿比丁”，例如突尼斯前总统本·阿里（Zine El Abidine Ben Ali）。此类用法多见于政治或历史文献中的人名翻译。
电子元件名称
指齐纳二极管（Zener Diode），一种特殊设计的半导体器件：
- 原理：通过重掺杂形成陡峭的反向击穿特性，能在特定电压下稳定电流。
- 参数：核心参数包括稳定电压（Vz）、额定功率（Pz）和温度系数。
- 应用：广泛用于稳压电路、过压保护等场景，例如电源模块设计。

建议：需根据上下文判断具体含义。若涉及珠宝或法语翻译，建议进一步核实专业术语；若为电子工程领域，则指向二极管相关技术。