
【計】 Zener
all ready; neat; similar; simultaneously; together; uniform
【醫】 trans-
accept; admit; receive
【計】 nano
在漢英詞典語境下,“齊納”作為電子工程術語使用時,其核心含義指向齊納二極管(Zener Diode),這是一種特殊的半導體器件。以下從專業角度詳細解釋其定義、原理與應用:
齊納二極管是一種利用反向擊穿效應 實現電壓穩定功能的半導體器件。當施加的反向電壓達到其特定阈值(稱為“齊納電壓”,符號為 ( V_Z ))時,二極管進入擊穿區,電流急劇增大而兩端電壓保持基本恒定。這一特性使其成為電路中的精密電壓基準源 或過壓保護元件。
齊納二極管的工作依賴于兩種物理現象:
當 ( V_Z < 5V ) 時,高濃度摻雜導緻耗盡層極窄,強電場直接破壞共價鍵産生載流子。該過程具有負溫度系數(電壓隨溫度升高而下降)。
當 ( V_Z > 7V ) 時,載流子加速撞擊原子引發鍊式倍增效應。具有正溫度系數(電壓隨溫度升高而上升)。
注:( 5V sim 7V ) 區間可能混合兩種效應,溫度系數趨近零。
——|◁|——(陰極側添加“Z”字形或橫杠标記)
在電源電路中并聯負載,吸收過量電流以維持輸出電壓穩定(例:12V電源中串聯電阻+5.1V齊納管)。
保護敏感元件(如MOSFET栅極)免受瞬态高壓損壞。
為ADC、電壓比較器提供高精度基準(選用低溫漂型號如1N829)。
“齊納”之名源于美國物理學家克拉倫斯·齊納(Clarence Zener)。他于1934年首次在理論上預言了半導體中的場緻擊穿現象(Zener Effect),該理論為後續二極管設計奠定基礎。貝爾實驗室在1950年代利用此原理制成首款商用穩壓二極管。
IEC 60747系列标準定義半導體器件術語與測試方法,涵蓋齊納二極管參數規範。
來源:International Electrotechnical Commission
《Journal of Electron Devices Society》刊載擊穿機制研究,如論文 "Zener Breakdown in Highly Doped PN Junctions"(2018)。
來源:Institute of Electrical and Electronics Engineers
《Microelectronic Circuits》(Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith)第3章詳解二極管模型與應用電路。
來源:Oxford University Press
“齊納”一詞在不同領域有不同含義,需結合語境理解:
珠寶行業術語
源于英文“carat”(縮寫ct),是衡量寶石重量的國際标準單位,1克拉=0.2克。該詞可能通過音譯或行業演變形成“齊納”的稱呼,但需注意“carat”更常見的中文譯法為“克拉”。
法語人名音譯
在法語中,“Zine El Abidine”常音譯為“齊納·阿比丁”,例如突尼斯前總統本·阿裡(Zine El Abidine Ben Ali)。此類用法多見于政治或曆史文獻中的人名翻譯。
電子元件名稱
指齊納二極管(Zener Diode),一種特殊設計的半導體器件:
建議:需根據上下文判斷具體含義。若涉及珠寶或法語翻譯,建議進一步核實專業術語;若為電子工程領域,則指向二極管相關技術。
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