
【電】 optoelectronic transistor
photoelectron
【化】 optical electrons; photoelectron
【醫】 photoelectron
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
光電子晶體管(Optoelectronic Transistor)是一種結合光子學與半導體電子學特性的複合器件,其核心功能是通過光電效應将光信號轉換為電信號,并利用晶體管結構對信號進行放大與調控。在漢英詞典中,該詞對應英文術語為“Optoelectronic Transistor”,其中“opto-”表示光學,“electronic”指代電子學,體現其跨學科特性。
該器件參數通常包含響應度(A/W)、暗電流(nA級)和帶寬(GHz級),需通過半導體工藝優化以平衡性能與功耗。權威定義可參考《Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials》第17章。
光電子晶體管(又稱光電晶體管)是一種将光信號轉換為電信號并放大的半導體器件,其核心功能是通過光電效應實現光-電轉換與信號放大。以下是詳細解釋:
光電子晶體管屬于光電子器件,通常由半導體材料(如矽、鍺)構成。它結合了光電二極管的光敏特性和晶體管的電流放大功能,能夠将入射光轉化為電流,并通過内部結構放大輸出信號。
光電效應
當光照射到器件的PN結時,光子能量($E{text{photon}} = h
u$)被半導體吸收,産生電子-空穴對(光生載流子)。
根據愛因斯坦方程:
$$
h
u = phi + K{text{max}}
$$
其中,$h$為普朗克常數,$
u$為光頻率,$phi$為材料的逸出功,$K_{text{max}}$為電子最大動能。
電流放大
光生載流子在PN結電場作用下分離,形成光電流。晶體管結構(如基極-集電極-發射極)通過電流增益($beta$值)放大該電流,最終輸出增強的電信號。
如需進一步了解技術參數或具體型號,可參考光電子器件相關專業文獻或技術手冊。
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