
【电】 optoelectronic transistor
photoelectron
【化】 optical electrons; photoelectron
【医】 photoelectron
transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
光电子晶体管(Optoelectronic Transistor)是一种结合光子学与半导体电子学特性的复合器件,其核心功能是通过光电效应将光信号转换为电信号,并利用晶体管结构对信号进行放大与调控。在汉英词典中,该词对应英文术语为“Optoelectronic Transistor”,其中“opto-”表示光学,“electronic”指代电子学,体现其跨学科特性。
该器件参数通常包含响应度(A/W)、暗电流(nA级)和带宽(GHz级),需通过半导体工艺优化以平衡性能与功耗。权威定义可参考《Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials》第17章。
光电子晶体管(又称光电晶体管)是一种将光信号转换为电信号并放大的半导体器件,其核心功能是通过光电效应实现光-电转换与信号放大。以下是详细解释:
光电子晶体管属于光电子器件,通常由半导体材料(如硅、锗)构成。它结合了光电二极管的光敏特性和晶体管的电流放大功能,能够将入射光转化为电流,并通过内部结构放大输出信号。
光电效应
当光照射到器件的PN结时,光子能量($E{text{photon}} = h
u$)被半导体吸收,产生电子-空穴对(光生载流子)。
根据爱因斯坦方程:
$$
h
u = phi + K{text{max}}
$$
其中,$h$为普朗克常数,$
u$为光频率,$phi$为材料的逸出功,$K_{text{max}}$为电子最大动能。
电流放大
光生载流子在PN结电场作用下分离,形成光电流。晶体管结构(如基极-集电极-发射极)通过电流增益($beta$值)放大该电流,最终输出增强的电信号。
如需进一步了解技术参数或具体型号,可参考光电子器件相关专业文献或技术手册。
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