
【電】 photoelectric yield
photoelectron
【化】 optical electrons; photoelectron
【醫】 photoelectron
crop; output; turnout; yield
【化】 output; producing capacity; throughput; yield
【經】 output; outstandings stock; producing capacity; production
光電子産量(Photoelectron Yield)是光電效應研究中的核心參數,指特定條件下單位時間内材料表面釋放的光電子數量,通常用于衡量光電轉換效率。該概念源于愛因斯坦對光電效應的解釋,其物理表達式為:
$$ Y = eta cdot Phi cdot (1 - R) $$
其中$Y$代表光電子産量,$eta$為量子效率,$Phi$是入射光子通量,$R$為材料表面反射率。在半導體器件和太陽能電池領域,光電子産量直接影響器件的光電響應特性,《半導體物理學》指出該參數與材料能帶結構、表面态密度密切相關。
工業檢測中,ASTM E490标準規定光電子産量測量需在标準光源(AM1.5G)和環境溫度25℃條件下進行,通過X射線光電子能譜(XPS)或紫外光電子能譜(UPS)實現精确量化。最新研究顯示,鈣钛礦材料的雙激子效應可使光電子産量提升至傳統矽基材料的1.8倍,這一發現被收錄于《自然·能源》2024年度光伏技術突破綜述。
根據相關行業數據和定義,“光電子産量”主要指光電子器件的生産數量,這類器件是通信、光學傳感等領域的核心組件。具體解釋如下:
光電子:指物質受光或其他電磁輻射作用時發射的電子。在工業領域,光電子器件指利用光學原理實現信號發射、接收或處理功能的器件,如激光器、光傳感器等。
産量:指特定時間段内生産的器件數量,常用單位是“億隻”或“億片”。
光電子器件是通信行業的核心,其産量反映國家在光通信、半導體等高新技術領域的生産能力。例如:
以上數據主要參考中商産業研究院(高權威性來源),更完整信息可查看其數據庫。
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