
【電】 photoelectric threshold
photoelectricity
【醫】 photoelectricity
【電】 threshold
光電臨限(Photoelectric Threshold)是光電效應中的關鍵物理參數,指引發物質表面光電子發射所需的最小入射光能量或對應頻率。該概念由愛因斯坦在1905年基于普朗克量子假說提出,其數學表達式為:
$$ hv_0 = phi $$
其中$v_0$代表臨阈頻率,$phi$為材料的功函數。當入射光頻率低于$v_0$時,無論光強多大都不會産生光電子發射。這一現象在光電探測器、太陽能電池和光子計數器中具有重要應用,如矽基光電二極管的工作波長選擇需嚴格遵循材料的光電臨限特性。
根據《現代光電技術手冊》(第三版)第2章所述,不同半導體材料的臨阈波長存在顯著差異,例如矽(Si)的典型臨阈波長為1.1μm,而砷化镓(GaAs)則為0.87μm。這種特性決定了器件在可見光與紅外光譜區的響應範圍。在實際工程中,工程師常通過摻雜工藝調節材料的功函數,從而優化設備的光電轉換效率(來源:Springer光電工程數據庫)。
根據搜索結果的綜合分析,“光電臨限”這一組合詞需要拆解為“光電”和“臨限”兩部分理解:
光電
指與光、電相關的技術或現象,包含兩層含義:
臨限
通常有兩種解釋:
組合詞的可能含義
目前未見“光電臨限”作為固定術語的權威定義,推測可能為以下兩種情景:
提示:若涉及具體場景(如技術文檔、産品說明),建議提供上下文以便更精準解釋。
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