
【电】 photoelectric threshold
photoelectricity
【医】 photoelectricity
【电】 threshold
光电临限(Photoelectric Threshold)是光电效应中的关键物理参数,指引发物质表面光电子发射所需的最小入射光能量或对应频率。该概念由爱因斯坦在1905年基于普朗克量子假说提出,其数学表达式为:
$$ hv_0 = phi $$
其中$v_0$代表临阈频率,$phi$为材料的功函数。当入射光频率低于$v_0$时,无论光强多大都不会产生光电子发射。这一现象在光电探测器、太阳能电池和光子计数器中具有重要应用,如硅基光电二极管的工作波长选择需严格遵循材料的光电临限特性。
根据《现代光电技术手册》(第三版)第2章所述,不同半导体材料的临阈波长存在显著差异,例如硅(Si)的典型临阈波长为1.1μm,而砷化镓(GaAs)则为0.87μm。这种特性决定了器件在可见光与红外光谱区的响应范围。在实际工程中,工程师常通过掺杂工艺调节材料的功函数,从而优化设备的光电转换效率(来源:Springer光电工程数据库)。
根据搜索结果的综合分析,“光电临限”这一组合词需要拆解为“光电”和“临限”两部分理解:
光电
指与光、电相关的技术或现象,包含两层含义:
临限
通常有两种解释:
组合词的可能含义
目前未见“光电临限”作为固定术语的权威定义,推测可能为以下两种情景:
提示:若涉及具体场景(如技术文档、产品说明),建议提供上下文以便更精准解释。
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