共基極放大器英文解釋翻譯、共基極放大器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 common-base amplifier; grounded-gate amplifier

altogether; common; general; share; together
【醫】 sym-; syn-

【計】 B
【化】 base

amplifier; magnifier
【計】 amplifier; expandor; recording amplifier
【化】 amplifier
【醫】 amplifier

共基極放大器（Common-Base Amplifier）是雙極結型晶體管（BJT）的三種基本電路配置之一，其特點是基極作為輸入與輸出端的公共參考點。該電路在電子工程中廣泛應用于高頻信號放大、阻抗匹配等場景。以下從結構、參數特性及應用場景展開解釋：

電路結構與工作模式
共基極放大器的發射極作為輸入端，集電極作為輸出端，基極通過旁路電容接地形成交流公共端。輸入信號加載于發射極-基極回路，輸出信號取自集電極-基極回路。其直流偏置需滿足發射結正偏、集電結反偏，以保證晶體管處于放大區。
關鍵參數特性
- 電流增益（$alpha$）：定義為集電極電流與發射極電流的比值，$alpha = I_C/I_E approx 0.98$（典型值）
- 電壓增益：可達100-300倍，計算公式為 $A_v = g_m R_C$（$g_m$為跨導，$R_C$為集電極負載）
- 輸入阻抗極低（約數十歐姆），輸出阻抗高（約兆歐級），適用于前級低阻抗源驅動後級高阻抗負載的場景。
高頻優勢與應用
由于基極接地形成的屏蔽效應，共基極電路具有優異的頻率響應特性。其截止頻率 $f_alpha$ 顯著高于共射極配置，因此多用于射頻放大器、混頻器及振蕩電路設計。例如在調頻接收機中常用作本振級或中頻放大。

該解釋參考了《微電子電路》（Sedra/Smith著）第5章晶體管放大器的理論框架，以及IEEE Xplore數據庫中關于高頻放大器設計的工程實踐案例（DOI:10.1109/TMTT.2020.3014661）。實際電路設計需結合具體器件參數手冊進行偏置網絡計算。

共基極放大器是晶體管放大電路的三大組态之一（與共發射極、共集電極并列），其特點是基極作為輸入和輸出回路的公共端，輸入信號從發射極注入，輸出信號從集電極獲取。以下是其核心要點：

共基極放大器憑借高頻特性好、電壓增益高的優勢，主要應用于高頻和射頻領域，但輸入電阻低限制了其在多級放大中的前級使用。實際設計中需根據信號頻率、增益需求和阻抗匹配要求選擇合適的組态。