負型光刻膠英文解釋翻譯、負型光刻膠的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 negative photoresist

分詞翻譯：

負的英語翻譯：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【醫】 Lift

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

光刻膠的英語翻譯：

【化】 photoresist

專業解析

負型光刻膠（Negative photoresist）是一種在微電子制造和集成電路加工中使用的光敏材料，其英文名稱直接體現了其工作原理：光照區域發生交聯反應形成不溶性結構。與正型光刻膠相反，負型光刻膠在曝光後，受紫外線照射的區域會因聚合物鍊交聯而變得難溶于顯影液，未曝光部分則被溶解去除，最終形成與掩膜版圖案相反的圖形結構。

根據《半導體制造技術基礎》（作者：Van Zant, P.）的記載，負型光刻膠的主要成分通常包含三種物質：樹脂基質（如環化橡膠）、光敏劑（如雙疊氮化合物）以及溶劑（如二甲苯）。這類材料在1960年代被廣泛應用于早期半導體制造，因其對黃光波長（350-450nm）敏感的特性。

美國國家标準技術研究院（NIST）的技術報告指出，負型光刻膠具有圖形側壁垂直度高的優勢，特别適合制造微米級結構。但其分辨率受限于光散射效應，通常在2μm以上，因此更多用于MEMS器件、微流體芯片等對精度要求相對較低的領域。典型應用案例包括德州儀器（TI）在模拟集成電路中的鈍化層圖案化工藝。

目前行業主流已轉向正型光刻膠，但日本東京應化（TOK）等企業仍在生産改良型負性光刻膠，例如采用化學放大技術的SU-8系列産品，該材料在微機電系統封裝中保持着不可替代的地位。

網絡擴展解釋

負型光刻膠（Negative Photoresist）是光刻工藝中的關鍵材料，其特性與應用如下：

定義與工作原理

負型光刻膠在紫外線、電子束等能量源照射後，曝光區域發生交聯反應，形成不溶性物質；未曝光部分則保持可溶性。顯影時，未曝光區域被溶解，僅保留曝光部分形成圖案。例如，聚肉桂酸酯類負膠（如KPR光刻膠）通過光敏基團的交聯實現抗蝕性。

主要特性

高對比度與附着力：曝光後形成緻密結構，對基材粘附性強，適合複雜表面加工。
成本低、工藝簡單：早期應用廣泛，適合分辨率要求較低的場景（如微米級圖形）。
阻隔性能好：抗蝕性強，常用于需要高耐化學性的制程。

應用領域

顯示器件：用于OLED顯示器、觸摸屏ITO電極的圖案化。
半導體制造：生産MEMS芯片、微流控芯片等。
封裝與光電子器件：適用于對分辨率要求不高的封裝工藝。

與正型光刻膠的對比

特性	負型光刻膠	正型光刻膠
分辨率	較低（亞微米以上）	高（亞微米以下）
顯影效果	保留曝光區域	去除曝光區域
成本	低	較高
應用場景	顯示器件、封裝	高精度集成電路

局限性

由于顯影時吸收溶劑可能膨脹，負膠的分辨率受限，難以滿足先進制程的納米級需求。目前高精度領域（如7nm以下芯片）主要采用正膠。

如需進一步了解化學組成或具體工藝，可參考、4、5的詳細分析。