浮動栅英文解釋翻譯、浮動栅的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 floating grid

drift; float; fluctuate
【計】 float

bar

在電子工程領域，"浮動栅"（flloating gate）是一種半導體器件中的關鍵結構，其英文直譯為"floating gate"。該術語特指一種被絕緣層包圍、不與外部電路直接連接的栅極結構，主要用于非易失性存儲器（如閃存和EEPROM）中存儲電荷。

從器件物理層面解釋，浮動栅通過以下機制實現數據存儲：

該技術被廣泛應用于：

根據IEEE标準協會的定義，浮動栅晶體管需滿足以下參數要求： $$ V{th} = V{th0} + frac{Q{fg}}{C{ox}} $$ 其中$V{th0}$為初始阈值電壓，$Q{fg}$為浮動栅電荷量，$C_{ox}$為栅氧化層電容。

參考文獻

IEEE Xplore: Floating Gate Technology in Non-Volatile Memory

ScienceDirect: Semiconductor Memory Devices

SpringerLink: Principles of Flash Memory Operations

IEEE Standard 1005-2022: Terminology for Semiconductor Memory

浮動栅（Floating Gate）是微電子器件中的一種特殊結構，主要應用于非易失性存儲器（如閃存、EEPROM等）。以下從特點、結構和工作原理三方面進行解釋：

浮動栅的關鍵特性是電隔離性，其周圍被二氧化矽等絕緣材料完全包裹，無直接電氣連接。這種設計使存儲在栅上的電荷無法自然洩漏，從而實現數據長期保存（即“非易失性”）。

在器件中，浮動栅通常位于：

典型代表如FAMOS管（Floating Gate Avalanche-Injection MOS），其栅極呈現懸浮狀态。

“栅”在電子學中對應英文grid 或gate，當讀作shān 時特指電子管電極（如栅極）。浮動栅的英文翻譯為floating grid 或floating gate。

該技術是實現U盤、SSD等存儲設備的核心，通過電荷的存儲狀态實現二進制數據的持久化保存。