浮动栅英文解释翻译、浮动栅的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 floating grid

drift; float; fluctuate
【计】 float

bar

在电子工程领域，"浮动栅"（flloating gate）是一种半导体器件中的关键结构，其英文直译为"floating gate"。该术语特指一种被绝缘层包围、不与外部电路直接连接的栅极结构，主要用于非易失性存储器（如闪存和EEPROM）中存储电荷。

从器件物理层面解释，浮动栅通过以下机制实现数据存储：

该技术被广泛应用于：

根据IEEE标准协会的定义，浮动栅晶体管需满足以下参数要求： $$ V{th} = V{th0} + frac{Q{fg}}{C{ox}} $$ 其中$V{th0}$为初始阈值电压，$Q{fg}$为浮动栅电荷量，$C_{ox}$为栅氧化层电容。

参考文献

IEEE Xplore: Floating Gate Technology in Non-Volatile Memory

ScienceDirect: Semiconductor Memory Devices

SpringerLink: Principles of Flash Memory Operations

IEEE Standard 1005-2022: Terminology for Semiconductor Memory

浮动栅（Floating Gate）是微电子器件中的一种特殊结构，主要应用于非易失性存储器（如闪存、EEPROM等）。以下从特点、结构和工作原理三方面进行解释：

浮动栅的关键特性是电隔离性，其周围被二氧化硅等绝缘材料完全包裹，无直接电气连接。这种设计使存储在栅上的电荷无法自然泄漏，从而实现数据长期保存（即“非易失性”）。

在器件中，浮动栅通常位于：

典型代表如FAMOS管（Floating Gate Avalanche-Injection MOS），其栅极呈现悬浮状态。

“栅”在电子学中对应英文grid 或gate，当读作shān 时特指电子管电极（如栅极）。浮动栅的英文翻译为floating grid 或floating gate。