峰或谷讀出内存英文解釋翻譯、峰或谷讀出内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 peak-or-valley readout memory

分詞翻譯：

峰的英語翻譯：

apex; apices; hump; peak; summit
【化】 peak
【醫】 peak; spike

或的英語翻譯：

either; maybe; or; perhaps
【計】 OR

谷的英語翻譯：

cereal; gorge; grain; millet; paddy; vale; valley
【醫】 gr; grain; granum; vallecula; valley

讀出的英語翻譯：

numerate
【計】 read-out
【經】 read off; read out

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

專業解析

在計算機硬件領域，"峰或谷讀出内存"（Peak or Valley Readout Memory）特指一種基于信號電平高低狀态（峰值或谷值）來識别存儲單元數據的動态隨機存取存儲器（DRAM）讀取機制。其核心原理是通過檢測電容電荷的電壓幅值差異（高電平為"峰"，低電平為"谷"）判斷存儲的二進制位（1或0）。以下是具體解析：

一、核心概念與工作原理

電荷狀态表征數據
DRAM的每個存儲單元由晶體管和電容構成。電容充滿電荷時代表邏輯"1"（峰值），電荷不足時代表邏輯"0"（谷值）。讀取時，靈敏放大器（Sense Amplifier）會檢測電容電壓與參考電壓的差值，通過電平高低狀态判定數據值。
破壞性讀取與重寫
讀取過程會導緻電容電荷部分流失，屬于"破壞性讀取"。因此，每次讀取後必須通過"重寫"（Rewrite）操作恢複原始電荷狀态，确保數據持久性。

二、技術特點與應用場景

高密度與低成本優勢
因結構簡單（1T1C單元），DRAM可實現高存儲密度，廣泛用于計算機主内存（如DDR SDRAM）。但其需周期性刷新電荷以維持數據，增加了功耗。
信號完整性挑戰
高頻操作下，電容電荷的微小波動可能導緻"峰/谷"電平誤判，需通過糾錯碼（ECC）等技術保障可靠性。

三、漢英術語對照

峰讀出（Peak Readout）：檢測高電平（邏輯1）
谷讀出（Valley Readout）：檢測低電平（邏輯0）
刷新（Refresh）：周期性補充電容電荷
靈敏放大器（Sense Amplifier）：放大電荷差異的關鍵電路

注：因未搜索到可直接引用的權威線上詞典資源，本文解釋基于DRAM通用技術原理及行業标準術語，建議進一步參考IEEE Xplore或計算機體系結構教材（如《Computer Organization and Design》）獲取詳細設計規範。

網絡擴展解釋

"峰或谷讀出内存"對應的英文是"peak-or-valley readout memory"，屬于電子技術領域的專業術語。該術語的解釋可分為三個層面：

字面解析

"峰或谷"指信號波形中的最高點（peak）和最低點（valley）
"讀出内存"指具有數據讀取功能的存儲單元，主要用于記錄和提取特定信號特征值

技術應用在智能電表等設備中，該技術用于記錄不同時段的用電數據：

峰時段（電價高）：8:00-11:00、18:00-21:00
谷時段（電價低）：22:00-6:00 通過檢測用電波形的峰值/谷值，實現分時計量和存儲

功能特點

采用波形檢測技術識别特征點
具備非易失性存儲能力
支持數據回讀功能
常用于電力監控、工業自動化等領域

需要說明的是，該術語屬于較專業的電子技術詞彙，實際應用需結合具體設備的技術手冊。如需更詳細的技術參數，建議查閱IEEE标準文獻或專業電子工程手冊。