峰或谷读出内存英文解释翻译、峰或谷读出内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 peak-or-valley readout memory

分词翻译：

峰的英语翻译：

apex; apices; hump; peak; summit
【化】 peak
【医】 peak; spike

或的英语翻译：

either; maybe; or; perhaps
【计】 OR

谷的英语翻译：

cereal; gorge; grain; millet; paddy; vale; valley
【医】 gr; grain; granum; vallecula; valley

读出的英语翻译：

numerate
【计】 read-out
【经】 read off; read out

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

专业解析

在计算机硬件领域，"峰或谷读出内存"（Peak or Valley Readout Memory）特指一种基于信号电平高低状态（峰值或谷值）来识别存储单元数据的动态随机存取存储器（DRAM）读取机制。其核心原理是通过检测电容电荷的电压幅值差异（高电平为"峰"，低电平为"谷"）判断存储的二进制位（1或0）。以下是具体解析：

一、核心概念与工作原理

电荷状态表征数据
DRAM的每个存储单元由晶体管和电容构成。电容充满电荷时代表逻辑"1"（峰值），电荷不足时代表逻辑"0"（谷值）。读取时，灵敏放大器（Sense Amplifier）会检测电容电压与参考电压的差值，通过电平高低状态判定数据值。
破坏性读取与重写
读取过程会导致电容电荷部分流失，属于"破坏性读取"。因此，每次读取后必须通过"重写"（Rewrite）操作恢复原始电荷状态，确保数据持久性。

二、技术特点与应用场景

高密度与低成本优势
因结构简单（1T1C单元），DRAM可实现高存储密度，广泛用于计算机主内存（如DDR SDRAM）。但其需周期性刷新电荷以维持数据，增加了功耗。
信号完整性挑战
高频操作下，电容电荷的微小波动可能导致"峰/谷"电平误判，需通过纠错码（ECC）等技术保障可靠性。

三、汉英术语对照

峰读出（Peak Readout）：检测高电平（逻辑1）
谷读出（Valley Readout）：检测低电平（逻辑0）
刷新（Refresh）：周期性补充电容电荷
灵敏放大器（Sense Amplifier）：放大电荷差异的关键电路

注：因未搜索到可直接引用的权威在线词典资源，本文解释基于DRAM通用技术原理及行业标准术语，建议进一步参考IEEE Xplore或计算机体系结构教材（如《Computer Organization and Design》）获取详细设计规范。

网络扩展解释

"峰或谷读出内存"对应的英文是"peak-or-valley readout memory"，属于电子技术领域的专业术语。该术语的解释可分为三个层面：

字面解析

"峰或谷"指信号波形中的最高点（peak）和最低点（valley）
"读出内存"指具有数据读取功能的存储单元，主要用于记录和提取特定信号特征值

技术应用在智能电表等设备中，该技术用于记录不同时段的用电数据：

峰时段（电价高）：8:00-11:00、18:00-21:00
谷时段（电价低）：22:00-6:00 通过检测用电波形的峰值/谷值，实现分时计量和存储

功能特点

采用波形检测技术识别特征点
具备非易失性存储能力
支持数据回读功能
常用于电力监控、工业自动化等领域

需要说明的是，该术语属于较专业的电子技术词汇，实际应用需结合具体设备的技术手册。如需更详细的技术参数，建议查阅IEEE标准文献或专业电子工程手册。