
【化】 back-scatter peak
reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion
scatter; scattering
【計】 scattering
【化】 scatter; scattering
【醫】 radiation scattered; scatter; scattering
apex; apices; hump; peak; summit
【化】 peak
【醫】 peak; spike
在漢英詞典視角下,“反向散射峰”(Backscattering Peak)指高能粒子束(如離子)撞擊材料後,發生大角度彈性散射(通常接近180°)的粒子能量分布中出現的特征峰值。該峰值對應的能量與靶材原子的質量直接相關,是盧瑟福背散射譜(Rutherford Backscattering Spectrometry, RBS)技術的核心分析依據。
物理機制
當高能帶電粒子(如氦離子)入射到材料時,部分粒子會與靶原子核發生庫侖斥力作用下的彈性碰撞。若碰撞角度足夠大(接近180°),粒子将以高能量“反向”彈回探測器。該過程遵循盧瑟福散射截面公式: $$ frac{dsigma}{dOmega} = left( frac{Z_1 Z_2 e}{4E} right) frac{1}{sin(theta/2)} $$ 其中 $Z_1$、$Z_2$ 分别為入射粒子與靶原子的原子序數,$E$ 為入射能量,$theta$ 為散射角。
能量特征
反向散射峰的能量 $E_1$ 與靶原子質量 $M_2$ 的關系為: $$ E_1 = left[ frac{(M_2 - M_1 sintheta)^{1/2} + M_1 costheta}{M_1 + M_2} right] E_0 $$ $E_0$ 為入射能量,$M_1$ 為入射粒子質量。重元素靶材因動量傳遞更大,會産生更高能量的散射峰。
應用意義
通過分析峰位能量可确定材料表層元素的種類(定性),而峰面積(計數率)結合散射截面可計算元素濃度(定量)。該技術廣泛應用于半導體材料、薄膜成分及深度的無損分析(來源:《核儀器與方法》期刊對RBS原理的标準描述)。
權威參考文獻可參閱清華大學出版社《材料分析測試技術》第7章(ISBN 978-7-302-48520-3),或美國國家标準與技術研究院(NIST)發布的粒子探測技術指南。
反向散射峰(Backscatter Peak)是核物理或光譜分析中的術語,通常指在射線探測過程中因粒子或光子反向散射而形成的能量峰。其具體含義和形成機制如下:
反向散射峰指高能射線(如γ射線或X射線)在穿透探測器時,部分射線被探測器後方或周圍物質(如屏蔽材料、光電倍增管等)反射回探測器内部,導緻能量疊加或衰減後形成的次級峰。這種峰的能量通常低于原始射線能量,且集中在特定範圍内(如約200 keV)。
反向散射技術(如通信中的反向散射信號反射)與反向散射峰的物理原理相似,但前者指利用反射信號傳輸信息,後者特指能譜分析中的能量峰現象。兩者均基于波或粒子的反射特性,但應用領域不同。
總結來看,反向散射峰是射線與物質相互作用後産生的能量特征峰,需結合探測器結構、材料特性及能量衰減機制綜合分析。
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