半導性晶體英文解釋翻譯、半導性晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 semiconducting crystal

分詞翻譯：

半的英語翻譯：

half; in the middle; semi-
【計】 semi
【醫】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【經】 quasi

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

半導性晶體（Semiconductive Crystal）是指具有半導體特性的晶體材料。這類材料在電學性質上介于導體（如金屬）和絕緣體（如陶瓷）之間，其導電能力可通過溫度、光照、電場或摻雜雜質等方式進行精确調控。半導性晶體的核心特征包括：

1. 可控導電性

   其電導率可通過本征激發（熱能激發電子跨越禁帶）或外部因素（如摻雜特定雜質）顯著改變。例如，純淨矽晶體（本征半導體）導電性較弱，但摻入磷原子（n型）或硼原子（p型）後，導電性大幅提升。這一特性是電子器件設計的基礎。

2. 存在禁帶（Band Gap）

   半導性晶體的能帶結構中存在一個禁帶寬度（$E_g$），通常在0.1至3.0電子伏特（eV）之間。價帶中的電子需獲得足夠能量（如熱能、光子能量）躍遷至導帶，才能參與導電。禁帶寬度決定了材料對光、熱的響應特性，例如： $$ E_g approx 1.12 text{ eV (矽, 300K)} E_g approx 0.67 text{ eV (鍺, 300K)} $$

3. 典型材料與應用

   • 元素半導體：矽（Si）、鍺（Ge）——廣泛用于集成電路、太陽能電池。
   • 化合物半導體：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）——適用于高頻器件、光電器件。
   • 寬禁帶半導體：碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）——用于高功率、高溫電子設備。

學術定義參考來源：

• Solid State Physics (Ashcroft & Mermin)，定義半導體能帶理論。
• Physics of Semiconductor Devices (S.M. Sze)，闡述半導體晶體電學特性。
• 國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）術語數據庫，規範材料分類标準。

權威機構鍊接（供深入閱讀）：

• 國際半導體技術路線圖（ITRS）（現由IRDS替代）
• 美國國家标準與技術研究院（NIST）半導體材料數據庫

網絡擴展解釋

以下基于現有知識對“半導性晶體”進行解釋：

半導性晶體指具有半導體特性的晶體材料，其核心特征包括：

1. 導電性介于導體與絕緣體之間：常溫下電導率約在$10^{-8}$ text{ S/m}到$10^{3}$ text{ S/m}範圍，可通過溫度、光照或摻雜調控；
2. 晶體結構有序性：原子/分子按周期性點陣排列，如矽（Si）的金剛石結構、砷化镓（GaAs）的閃鋅礦結構；
3. 帶隙特性：存在價帶與導帶之間的禁帶（帶隙寬度約0.1-4 eV），例如： $$ Eg = E{text{導帶}} - E_{text{價帶}} $$
4. 溫度敏感導電性：升溫時載流子（電子與空穴）濃度增加，導電性增強；
5. 摻雜可改性：通過摻入磷（N型）或硼（P型）等雜質，可顯著改變導電類型。

典型應用包括集成電路、光伏電池、LED等電子器件。由于缺乏具體文獻支持，建議通過《固體物理學》教材或半導體材料專著獲取更系統的理論闡述。

分類

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