半导性晶体英文解释翻译、半导性晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 semiconducting crystal

分词翻译：

半的英语翻译：

half; in the middle; semi-
【计】 semi
【医】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【经】 quasi

导的英语翻译：

guide; lead; teach; transmit
【医】 guidance; guide

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

半导性晶体（Semiconductive Crystal）是指具有半导体特性的晶体材料。这类材料在电学性质上介于导体（如金属）和绝缘体（如陶瓷）之间，其导电能力可通过温度、光照、电场或掺杂杂质等方式进行精确调控。半导性晶体的核心特征包括：

1. 可控导电性

   其电导率可通过本征激发（热能激发电子跨越禁带）或外部因素（如掺杂特定杂质）显著改变。例如，纯净硅晶体（本征半导体）导电性较弱，但掺入磷原子（n型）或硼原子（p型）后，导电性大幅提升。这一特性是电子器件设计的基础。

2. 存在禁带（Band Gap）

   半导性晶体的能带结构中存在一个禁带宽度（$E_g$），通常在0.1至3.0电子伏特（eV）之间。价带中的电子需获得足够能量（如热能、光子能量）跃迁至导带，才能参与导电。禁带宽度决定了材料对光、热的响应特性，例如： $$ E_g approx 1.12 text{ eV (硅, 300K)} E_g approx 0.67 text{ eV (锗, 300K)} $$

3. 典型材料与应用

   • 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）——广泛用于集成电路、太阳能电池。
   • 化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）——适用于高频器件、光电器件。
   • 宽禁带半导体：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）——用于高功率、高温电子设备。

学术定义参考来源：

• Solid State Physics (Ashcroft & Mermin)，定义半导体能带理论。
• Physics of Semiconductor Devices (S.M. Sze)，阐述半导体晶体电学特性。
• 国际纯粹与应用化学联合会（IUPAC）术语数据库，规范材料分类标准。

权威机构链接（供深入阅读）：

• 国际半导体技术路线图（ITRS）（现由IRDS替代）
• 美国国家标准与技术研究院（NIST）半导体材料数据库

网络扩展解释

以下基于现有知识对“半导性晶体”进行解释：

半导性晶体指具有半导体特性的晶体材料，其核心特征包括：

1. 导电性介于导体与绝缘体之间：常温下电导率约在$10^{-8}$ text{ S/m}到$10^{3}$ text{ S/m}范围，可通过温度、光照或掺杂调控；
2. 晶体结构有序性：原子/分子按周期性点阵排列，如硅（Si）的金刚石结构、砷化镓（GaAs）的闪锌矿结构；
3. 带隙特性：存在价带与导带之间的禁带（带隙宽度约0.1-4 eV），例如： $$ Eg = E{text{导带}} - E_{text{价带}} $$
4. 温度敏感导电性：升温时载流子（电子与空穴）浓度增加，导电性增强；
5. 掺杂可改性：通过掺入磷（N型）或硼（P型）等杂质，可显著改变导电类型。

典型应用包括集成电路、光伏电池、LED等电子器件。由于缺乏具体文献支持，建议通过《固体物理学》教材或半导体材料专著获取更系统的理论阐述。

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