電荷儲存二極管英文解釋翻譯、電荷儲存二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 charge-storage diode

分詞翻譯：

電荷的英語翻譯：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

儲存的英語翻譯：

garner; lay in; store
【電】 storage

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

電荷儲存二極管（Charge Storage Diode），又稱階躍恢複二極管（Step Recovery Diode, SRD），是一種利用PN結在反向偏置時儲存電荷的特性來實現快速開關功能的特殊半導體器件。其核心工作原理依賴于少數載流子在結區的存儲與釋放效應。

一、工作原理

正向偏置階段
當施加正向電壓時，二極管導通，空穴和電子分别注入N區和P區形成少數載流子存儲（Charge Storage）。這些載流子需較長時間複合，導緻結區積累大量電荷。
反向恢複階段
電壓突變為反向時，存儲電荷不會立即消失，而是形成短暫的反向電流（$I_R$）。當存儲電荷耗盡瞬間，電流會階躍式驟降至零（$t_s approx 0.1-10 text{ns}$），産生極陡峭的關斷沿，此特性稱為"階躍恢複" 。

二、關鍵特性參數

存儲時間（$t_s$）：反向電流持續的時間，與載流子壽命正相關
轉換時間（$t_{tr}$）：電流從$I_R$降至零的時長，可達皮秒級
品質因數（$Q$）：$Q = frac{1}{2pi f t_s}$，決定高頻效率

三、典型應用場景

高頻脈沖發生器：利用階躍特性生成納秒級窄脈沖
倍頻電路：在微波頻段（如10 GHz）實現高效諧波生成
超高速開關：用于采樣保持電路和時域反射儀

四、中英術語對照

中文術語	英文術語
電荷儲存二極管	Charge Storage Diode
階躍恢複二極管	Step Recovery Diode (SRD)
少數載流子	Minority Carrier
反向恢複電流	Reverse Recovery Current
存儲時間	Storage Time ($t_s$)

權威參考文獻

IEEE Xplore
Step Recovery Diode Pulse Generators for UWB Applications （注：鍊接需替換為實際有效文獻）

《半導體器件物理》 (施敏)
第6章詳細分析PN結電荷存儲效應

Keysight Technologies
Application Note: SRD Characterization

注：因搜索結果未提供直接可引用的網頁，以上内容基于電子工程領域經典教材與IEEE文獻綜述整理。建議補充具體文獻鍊接以增強權威性。

網絡擴展解釋

電荷儲存二極管（Charge Storage Diode）是一種基于PN結結構的特殊半導體器件，其核心功能在于通過存儲電荷實現快速開關特性。以下是詳細解釋：

1.結構特性

這類二極管在PN結兩邊的擴散區中存儲了大量少數載流子。其正向導電性極佳，當施加正向電壓時，能夠向擴散區注入大量少數載流子（如空穴或電子），形成電荷存儲效應。

2.工作原理

正向導通階段：在正向偏壓下，載流子被注入到PN結兩側的擴散區，形成電荷積累。
反向關斷階段：當電壓反向時，存儲的電荷需要被抽走，但由于存儲電荷量極大，導緻關斷時的存儲時間（即電荷消散時間）較長；而一旦電荷消散完畢，電流會瞬間下降，因此下降時間（$t_f$）極短（可達皮秒級）。

3.與階躍恢複二極管的關系

電荷儲存二極管與階躍恢複二極管（Step Recovery Diode）原理類似，兩者均依賴電荷存儲效應實現快速關斷特性，常用于高頻脈沖電路。

4.應用場景

主要用于高頻開關電路、高速脈沖整形、倍頻器等需要快速切換的領域。其快速關斷特性使其在微波通信和雷達系統中具有重要價值。

補充說明

普通二極管（如整流二極管）不具備顯著的電荷存儲能力，而電荷儲存二極管通過特殊設計優化了載流子注入和存儲機制。