电荷储存二极管英文解释翻译、电荷储存二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 charge-storage diode

分词翻译：

电荷的英语翻译：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【医】 charge

储存的英语翻译：

garner; lay in; store
【电】 storage

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

电荷储存二极管（Charge Storage Diode），又称阶跃恢复二极管（Step Recovery Diode, SRD），是一种利用PN结在反向偏置时储存电荷的特性来实现快速开关功能的特殊半导体器件。其核心工作原理依赖于少数载流子在结区的存储与释放效应。

一、工作原理

正向偏置阶段
当施加正向电压时，二极管导通，空穴和电子分别注入N区和P区形成少数载流子存储（Charge Storage）。这些载流子需较长时间复合，导致结区积累大量电荷。
反向恢复阶段
电压突变为反向时，存储电荷不会立即消失，而是形成短暂的反向电流（$I_R$）。当存储电荷耗尽瞬间，电流会阶跃式骤降至零（$t_s approx 0.1-10 text{ns}$），产生极陡峭的关断沿，此特性称为"阶跃恢复" 。

二、关键特性参数

存储时间（$t_s$）：反向电流持续的时间，与载流子寿命正相关
转换时间（$t_{tr}$）：电流从$I_R$降至零的时长，可达皮秒级
品质因数（$Q$）：$Q = frac{1}{2pi f t_s}$，决定高频效率

三、典型应用场景

高频脉冲发生器：利用阶跃特性生成纳秒级窄脉冲
倍频电路：在微波频段（如10 GHz）实现高效谐波生成
超高速开关：用于采样保持电路和时域反射仪

四、中英术语对照

中文术语	英文术语
电荷储存二极管	Charge Storage Diode
阶跃恢复二极管	Step Recovery Diode (SRD)
少数载流子	Minority Carrier
反向恢复电流	Reverse Recovery Current
存储时间	Storage Time ($t_s$)

权威参考文献

IEEE Xplore
Step Recovery Diode Pulse Generators for UWB Applications （注：链接需替换为实际有效文献）

《半导体器件物理》 (施敏)
第6章详细分析PN结电荷存储效应

Keysight Technologies
Application Note: SRD Characterization

注：因搜索结果未提供直接可引用的网页，以上内容基于电子工程领域经典教材与IEEE文献综述整理。建议补充具体文献链接以增强权威性。

网络扩展解释

电荷储存二极管（Charge Storage Diode）是一种基于PN结结构的特殊半导体器件，其核心功能在于通过存储电荷实现快速开关特性。以下是详细解释：

1.结构特性

这类二极管在PN结两边的扩散区中存储了大量少数载流子。其正向导电性极佳，当施加正向电压时，能够向扩散区注入大量少数载流子（如空穴或电子），形成电荷存储效应。

2.工作原理

正向导通阶段：在正向偏压下，载流子被注入到PN结两侧的扩散区，形成电荷积累。
反向关断阶段：当电压反向时，存储的电荷需要被抽走，但由于存储电荷量极大，导致关断时的存储时间（即电荷消散时间）较长；而一旦电荷消散完毕，电流会瞬间下降，因此下降时间（$t_f$）极短（可达皮秒级）。

3.与阶跃恢复二极管的关系

电荷储存二极管与阶跃恢复二极管（Step Recovery Diode）原理类似，两者均依赖电荷存储效应实现快速关断特性，常用于高频脉冲电路。

4.应用场景

主要用于高频开关电路、高速脉冲整形、倍频器等需要快速切换的领域。其快速关断特性使其在微波通信和雷达系统中具有重要价值。

补充说明

普通二极管（如整流二极管）不具备显著的电荷存储能力，而电荷储存二极管通过特殊设计优化了载流子注入和存储机制。