電子非渡時間英文解釋翻譯、電子非渡時間的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transit time of electron

electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

cross a river; ferry; pull through

hour; time; when; while
【化】 time
【醫】 tempo-; time
【經】 time

電子非渡時間（Electron Transit Time）是半導體器件物理中的核心概念，指電子在電場作用下穿越半導體器件内部特定區域（如基區、溝道等）所需的時間。該參數直接影響器件的高頻響應速度和截止頻率，是設計微波晶體管、光電探測器等高速器件的關鍵指标。

中英對照解釋
- 中文術語：電子非渡時間（或“電子渡越時間”）
- 英文術語：Electron Transit Time
- 定義：電子從器件的注入端（如發射極）運動到收集端（如集電極）所需的平均時間。其值由載流子遷移率、電場強度及路徑長度共同決定。
物理機制
在電場驅動下，電子以漂移速度（(v_d = mu_n E)，其中 (mu_n) 為電子遷移率，(E) 為電場強度）穿越半導體區域。若路徑長度為 (L)，則渡越時間可表示為：

$$ tau_t = frac{L}{v_d} = frac{L}{mu_n V} $$

其中 (V) 為施加電壓。

高頻器件性能瓶頸
渡越時間與器件最高工作頻率（(f_{text{max}})）成反比。例如在異質結雙極晶體管（HBT）中，基區渡越時間（(tau_b)）需最小化以提升截止頻率。
光電探測器響應速度
在PIN光電二極管中，光生電子在耗盡區的渡越時間決定了器件的響應帶寬。縮短渡越時間可提升高速通信系統效率。

半導體器件物理經典著作
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），詳細分析載流子渡越時間與器件頻率特性的定量關系。

IEEE電子器件期刊
研究論文 "High-Speed HBT Design Based on Transit Time Optimization"（IEEE Trans. Electron Devices）探讨了渡越時間對晶體管設計的約束。

隨着器件尺寸微縮至納米級，量子隧穿效應導緻傳統漂移模型失效，需引入量子輸運理論重新定義渡越時間（如非平衡格林函數方法）。當前研究聚焦于超快材料（如石墨烯）和隧穿器件（TFET）以突破經典極限。

關于“電子非渡時間”這一表述，目前學術界和常規物理術語中并無明确定義。根據現有信息推測，可能存在以下可能：

術語誤寫可能性：
- 可能是“弛豫時間”（電子系統恢複平衡态所需時間）或“渡越時間”（電子穿越介質的時間）的誤寫，這兩個概念常見于半導體物理。
- 量子力學中還有“隧穿時間”的概念，描述電子穿越勢壘的持續時間。
特殊領域術語：
- 在非平衡态統計物理中，可能指電子處于非平衡态的持續時間。
- 部分文獻用“非絕熱時間”描述電子與晶格振動相互作用的特征時間尺度。
複合詞拆分解析：
- “非渡”可理解為非渡越過程，可能指電子局域化狀态（如量子點中的電子）的穩定存在時間。

建議确認術語準确性或提供更多上下文。若需了解電子基礎屬性，根據權威詞典定義，電子是帶負電的亞原子粒子，質量約為$9.1times10^{-31}$ kg，參與電磁相互作用，構成物質的基本組成之一。

$$ m_e = 9.109 383 7015(28)times10^{-31} mathrm{kg} $$