电子非渡时间英文解释翻译、电子非渡时间的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transit time of electron

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

cross a river; ferry; pull through

hour; time; when; while
【化】 time
【医】 tempo-; time
【经】 time

电子非渡时间（Electron Transit Time）是半导体器件物理中的核心概念，指电子在电场作用下穿越半导体器件内部特定区域（如基区、沟道等）所需的时间。该参数直接影响器件的高频响应速度和截止频率，是设计微波晶体管、光电探测器等高速器件的关键指标。

中英对照解释
- 中文术语：电子非渡时间（或“电子渡越时间”）
- 英文术语：Electron Transit Time
- 定义：电子从器件的注入端（如发射极）运动到收集端（如集电极）所需的平均时间。其值由载流子迁移率、电场强度及路径长度共同决定。
物理机制
在电场驱动下，电子以漂移速度（(v_d = mu_n E)，其中 (mu_n) 为电子迁移率，(E) 为电场强度）穿越半导体区域。若路径长度为 (L)，则渡越时间可表示为：

$$ tau_t = frac{L}{v_d} = frac{L}{mu_n V} $$

其中 (V) 为施加电压。

高频器件性能瓶颈
渡越时间与器件最高工作频率（(f_{text{max}})）成反比。例如在异质结双极晶体管（HBT）中，基区渡越时间（(tau_b)）需最小化以提升截止频率。
光电探测器响应速度
在PIN光电二极管中，光生电子在耗尽区的渡越时间决定了器件的响应带宽。缩短渡越时间可提升高速通信系统效率。

半导体器件物理经典著作
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），详细分析载流子渡越时间与器件频率特性的定量关系。

IEEE电子器件期刊
研究论文 "High-Speed HBT Design Based on Transit Time Optimization"（IEEE Trans. Electron Devices）探讨了渡越时间对晶体管设计的约束。

随着器件尺寸微缩至纳米级，量子隧穿效应导致传统漂移模型失效，需引入量子输运理论重新定义渡越时间（如非平衡格林函数方法）。当前研究聚焦于超快材料（如石墨烯）和隧穿器件（TFET）以突破经典极限。

关于“电子非渡时间”这一表述，目前学术界和常规物理术语中并无明确定义。根据现有信息推测，可能存在以下可能：

术语误写可能性：
- 可能是“弛豫时间”（电子系统恢复平衡态所需时间）或“渡越时间”（电子穿越介质的时间）的误写，这两个概念常见于半导体物理。
- 量子力学中还有“隧穿时间”的概念，描述电子穿越势垒的持续时间。
特殊领域术语：
- 在非平衡态统计物理中，可能指电子处于非平衡态的持续时间。
- 部分文献用“非绝热时间”描述电子与晶格振动相互作用的特征时间尺度。
复合词拆分解析：
- “非渡”可理解为非渡越过程，可能指电子局域化状态（如量子点中的电子）的稳定存在时间。

建议确认术语准确性或提供更多上下文。若需了解电子基础属性，根据权威词典定义，电子是带负电的亚原子粒子，质量约为$9.1times10^{-31}$ kg，参与电磁相互作用，构成物质的基本组成之一。

$$ m_e = 9.109 383 7015(28)times10^{-31} mathrm{kg} $$