半導體空穴英文解釋翻譯、半導體空穴的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor hole

分詞翻譯：

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

空穴的英語翻譯：

cavity; hole
【計】 positive carrier; positive hole
【化】 cavity; hole; positive hole

專業解析

半導體空穴（Semiconductor Hole）是固體物理學中的重要概念，指半導體共價鍵中電子脫離後留下的帶正電的空位。其核心含義如下：

一、術語定義與物理本質

1. 漢英對照釋義

   • 漢語：半導體空穴
   • 英語：Semiconductor Hole（或 Hole in Semiconductor）

     來源：《牛津物理詞典》（Oxford Dictionary of Physics）

2. 物理本質

   當半導體（如矽、鍺）共價鍵中的電子受激發躍遷至導帶後，原位置形成帶正電的“空穴”。該空穴可被鄰近電子填充，形成空穴的定向移動，等效于帶正電荷的載流子。

二、空穴的特性與作用

1. 等效正電荷載流子

   空穴的運動方向與電子相反，其遷移率低于電子（例如矽中空穴遷移率約為電子遷移率的1/3），直接影響半導體器件的導電性能。

2. 在PN結中的作用

   • P型半導體中空穴為多數載流子，與N型半導體的電子在結區複合，形成耗盡層。
   • 空穴擴散是二極管正向導通、晶體管放大的物理基礎。

三、權威參考文獻

1. 固體物理學經典解釋

   “空穴是價帶中未占據電子态的表現，其行為等效于帶正電荷的粒子。”

   —— Kittel, C. Introduction to Solid State Physics (8th ed.), Wiley, 2005.

   鍊接：Wiley官網書目

2. 半導體器件理論

   “P型半導體的導電性主要由空穴遷移決定，空穴濃度受摻雜劑濃度調控。”

   —— Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), John Wiley & Sons, 2007.

   鍊接：Wiley書目摘要

四、與電子的區别

注：本文定義與機理解釋均基于固體物理權威著作，引用來源為國際公認教材出版社。

網絡擴展解釋

半導體中的“空穴”是描述其導電特性的核心概念之一，其定義和原理可通過以下要點詳細說明：

一、定義與本質

空穴是半導體價帶中電子脫離後形成的等效正電荷載體。當共價鍵中的電子受外部能量（如熱或光）激發躍遷到導帶時，原本的位置會留下一個帶正電的空位，這個空位即為空穴。需注意的是，空穴并非真實存在的粒子，而是用于簡化分析半導體導電行為的等效概念。

二、産生機制

1. 電子躍遷：在矽等半導體晶體中，原子通過共價鍵連接。當價帶中的電子獲得足夠能量脫離共價鍵成為自由電子時，其原位置形成空穴。
2. 等效遷移：相鄰價帶電子會填補該空位，導緻空穴在晶體中“移動”。

三、導電特性

1. 正電荷屬性：空穴等效于帶+e電荷的粒子（與電子電荷量相等，極性相反）。
2. 導電機制：空穴的“移動”實際上是電子反向填補的過程，整體表現為正電荷的流動。

四、作用與意義

空穴與自由電子共同作為半導體的載流子，決定了材料的導電性類型（如P型半導體以空穴導電為主），并廣泛應用于二極管、晶體管等器件中。

示例理解：類似電影院座位的比喻，空穴如同觀衆起身離開後留下的空座，相鄰觀衆（電子）依次填補空座的過程即表現為空穴的移動（注：此網頁權威性較低，僅作輔助理解）。

分類

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