半导体空穴英文解释翻译、半导体空穴的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 semiconductor hole

分词翻译：

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

空穴的英语翻译：

cavity; hole
【计】 positive carrier; positive hole
【化】 cavity; hole; positive hole

专业解析

半导体空穴（Semiconductor Hole）是固体物理学中的重要概念，指半导体共价键中电子脱离后留下的带正电的空位。其核心含义如下：

一、术语定义与物理本质

1. 汉英对照释义

   • 汉语：半导体空穴
   • 英语：Semiconductor Hole（或 Hole in Semiconductor）

     来源：《牛津物理词典》（Oxford Dictionary of Physics）

2. 物理本质

   当半导体（如硅、锗）共价键中的电子受激发跃迁至导带后，原位置形成带正电的“空穴”。该空穴可被邻近电子填充，形成空穴的定向移动，等效于带正电荷的载流子。

二、空穴的特性与作用

1. 等效正电荷载流子

   空穴的运动方向与电子相反，其迁移率低于电子（例如硅中空穴迁移率约为电子迁移率的1/3），直接影响半导体器件的导电性能。

2. 在PN结中的作用

   • P型半导体中空穴为多数载流子，与N型半导体的电子在结区复合，形成耗尽层。
   • 空穴扩散是二极管正向导通、晶体管放大的物理基础。

三、权威参考文献

1. 固体物理学经典解释

   “空穴是价带中未占据电子态的表现，其行为等效于带正电荷的粒子。”

   —— Kittel, C. Introduction to Solid State Physics (8th ed.), Wiley, 2005.

   链接：Wiley官网书目

2. 半导体器件理论

   “P型半导体的导电性主要由空穴迁移决定，空穴浓度受掺杂剂浓度调控。”

   —— Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), John Wiley & Sons, 2007.

   链接：Wiley书目摘要

四、与电子的区别

注：本文定义与机理解释均基于固体物理权威著作，引用来源为国际公认教材出版社。

网络扩展解释

半导体中的“空穴”是描述其导电特性的核心概念之一，其定义和原理可通过以下要点详细说明：

一、定义与本质

空穴是半导体价带中电子脱离后形成的等效正电荷载体。当共价键中的电子受外部能量（如热或光）激发跃迁到导带时，原本的位置会留下一个带正电的空位，这个空位即为空穴。需注意的是，空穴并非真实存在的粒子，而是用于简化分析半导体导电行为的等效概念。

二、产生机制

1. 电子跃迁：在硅等半导体晶体中，原子通过共价键连接。当价带中的电子获得足够能量脱离共价键成为自由电子时，其原位置形成空穴。
2. 等效迁移：相邻价带电子会填补该空位，导致空穴在晶体中“移动”。

三、导电特性

1. 正电荷属性：空穴等效于带+e电荷的粒子（与电子电荷量相等，极性相反）。
2. 导电机制：空穴的“移动”实际上是电子反向填补的过程，整体表现为正电荷的流动。

四、作用与意义

空穴与自由电子共同作为半导体的载流子，决定了材料的导电性类型（如P型半导体以空穴导电为主），并广泛应用于二极管、晶体管等器件中。

示例理解：类似电影院座位的比喻，空穴如同观众起身离开后留下的空座，相邻观众（电子）依次填补空座的过程即表现为空穴的移动（注：此网页权威性较低，仅作辅助理解）。

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