低電容探針英文解釋翻譯、低電容探針的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 low-capacitance probe

分詞翻譯：

低的英語翻譯：

hang down; low; lowness
【醫】 hyp-; hypo-

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

探針的英語翻譯：

bougie; probe; stylet
【計】 needle
【化】 probe
【醫】 probe

專業解析

低電容探針（Low Capacitance Probe）是一種專門設計的電子測試探頭，其核心特征在于具有極低的輸入電容（通常在1 pF至10 pF範圍内）。這種設計使其特别適用于測量高頻信號或高阻抗電路，能夠顯著減少探頭本身對被測電路造成的電容性負載效應（Loading Effect），從而最大限度地保證測量信號的保真度和準确性。在高速數字電路、射頻電路、示波器測量等場景中，低電容探針是獲取真實信號波形的關鍵工具。其英文術語直接反映了這一核心特性：Low（低）Capacitance（電容）Probe（探針）。

工作原理與設計優勢

傳統探頭的輸入電容可能高達數十甚至上百皮法（pF）。當連接到被測電路時，這個電容會與電路中的電感和電阻形成額外的負載網絡，導緻信號失真（如邊沿變緩、振鈴現象）或頻率響應衰減。低電容探針通過優化内部結構（如使用特殊屏蔽技術、微型元件、有源場效應晶體管（FET）緩沖放大器等）和尖端材料，将輸入電容降至極低水平。例如，有源探頭（Active Probe）常利用高輸入阻抗、低輸出阻抗的FET放大器作為緩沖，既實現了低電容（可低至0.5 pF），又維持了高輸入電阻（通常1 MΩ以上），大幅降低了對被測電路的影響。

關鍵應用場景

高頻信號測量：在射頻（RF）、微波或高速數字信號（如GHz級時鐘、高速串行鍊路）測試中，探頭電容會構成低通濾波器，衰減高頻分量。低電容探針能擴展帶寬，确保精确捕獲快速上升沿和細節。
高阻抗電路測試：如晶體振蕩器、壓控振蕩器（VCO）、高阻傳感器接口等。探頭電容會顯著改變這些電路的諧振頻率或工作點，低電容設計能最小化幹擾。
精密時序測量：在數字系統調試中，低電容探針減少信號邊沿的畸變，确保建立/保持時間、時鐘抖動等關鍵參數的測量精度。
小信號測量：微弱信號易受負載影響，低電容探針有助于保持信號完整性。

權威參考來源

Keysight Technologies (是德科技)：作為測試測量領域的領導者，Keysight在其《探頭基礎》指南中詳細闡述了探頭負載效應，并強調低電容設計對高頻測量的必要性。其有源探頭系列（如N7020A）即以此為核心特性。
Tektronix (泰克)：泰克的應用筆記《探頭ABCs》系統介紹了探頭原理，指出電容負載是高頻測量的主要限制因素，并解釋其低電容有源探頭（如TPP系列）如何解決此問題。
IEEE Standards & Literature：在高速電路設計（如IEEE Std 1149.1, 1149.6）和信號完整性分析的學術文獻中，低電容探針被廣泛推薦用于精确表征互連和器件性能。
Fluke Corporation (福祿克)：在其精密測量文檔中，強調低電容探頭在避免電路負載和确保測量可靠性方面的重要性，尤其在敏感電子設備診斷中。

網絡擴展解釋

“低電容探針”是電子測量領域的一種專用工具，其核心特點是通過降低探針本身的電容值，減少對被測電路的幹擾，尤其適用于高頻或高阻抗環境下的信號測量。以下為詳細解釋：

基本定義與結構
低電容探針（Low-Capacitance Probe）由金屬尖端、絕緣材料和内部電路構成。其設計重點在于通過減小探針與被測點的接觸面積、采用低介電常數材料等方式降低輸入電容（通常為幾個皮法級别），從而避免傳統探針因電容過高導緻信號衰減或電路負載效應。
核心原理與優勢
- 電容影響：高電容會引入寄生電容，改變高頻電路的諧振特性或導緻信號失真。低電容探針通過結構優化（如尖端針狀金屬設計）和内置放大器，既減少對被測電路的影響，又增強信號傳輸的保真度。
- 應用場景：常用于測量晶振輸出、射頻電路、高速數字信號等對電容敏感的場合。
技術分類
根據的說明，低電容探針可分為：
- 無源型：僅通過物理結構降低電容，成本較低但信號易衰減。
- 有源型：内置放大器，主動補償信號損失，適合微弱或高頻信號測量。

低電容探針通過電容優化設計，解決了傳統探針在精密測量中的幹擾問題，是電子測試領域的重要工具。如需更深入的電路原理或型號參數，可參考電子工程專業文獻或儀器手冊。