
【电】 low-capacitance probe
hang down; low; lowness
【医】 hyp-; hypo-
capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity
bougie; probe; stylet
【计】 needle
【化】 probe
【医】 probe
低电容探针(Low Capacitance Probe) 是一种专门设计的电子测试探头,其核心特征在于具有极低的输入电容(通常在1 pF至10 pF范围内)。这种设计使其特别适用于测量高频信号或高阻抗电路,能够显著减少探头本身对被测电路造成的电容性负载效应(Loading Effect),从而最大限度地保证测量信号的保真度和准确性。在高速数字电路、射频电路、示波器测量等场景中,低电容探针是获取真实信号波形的关键工具。其英文术语直接反映了这一核心特性:Low(低)Capacitance(电容)Probe(探针)。
工作原理与设计优势
传统探头的输入电容可能高达数十甚至上百皮法(pF)。当连接到被测电路时,这个电容会与电路中的电感和电阻形成额外的负载网络,导致信号失真(如边沿变缓、振铃现象)或频率响应衰减。低电容探针通过优化内部结构(如使用特殊屏蔽技术、微型元件、有源场效应晶体管(FET)缓冲放大器等)和尖端材料,将输入电容降至极低水平。例如,有源探头(Active Probe)常利用高输入阻抗、低输出阻抗的FET放大器作为缓冲,既实现了低电容(可低至0.5 pF),又维持了高输入电阻(通常1 MΩ以上),大幅降低了对被测电路的影响。
关键应用场景
权威参考来源
“低电容探针”是电子测量领域的一种专用工具,其核心特点是通过降低探针本身的电容值,减少对被测电路的干扰,尤其适用于高频或高阻抗环境下的信号测量。以下为详细解释:
基本定义与结构
低电容探针(Low-Capacitance Probe)由金属尖端、绝缘材料和内部电路构成。其设计重点在于通过减小探针与被测点的接触面积、采用低介电常数材料等方式降低输入电容(通常为几个皮法级别),从而避免传统探针因电容过高导致信号衰减或电路负载效应。
核心原理与优势
技术分类
根据的说明,低电容探针可分为:
低电容探针通过电容优化设计,解决了传统探针在精密测量中的干扰问题,是电子测试领域的重要工具。如需更深入的电路原理或型号参数,可参考电子工程专业文献或仪器手册。
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