半選電流英文解釋翻譯、半選電流的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 half-current

分詞翻譯：

半的英語翻譯：

half; in the middle; semi-
【計】 semi
【醫】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【經】 quasi

選的英語翻譯：

anthology; choose; elect; pick; select

電流的英語翻譯：

electric current; electrical current; electricity
【計】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【醫】 current; electric current; rheo-

專業解析

半選電流（Half-Select Current）是集成電路設計中的專業術語，特指在存儲器陣列（如SRAM或DRAM）工作過程中，未被完全選中的存儲單元因行/列選擇信號耦合效應而産生的非預期電流。該現象常見于多路複用尋址架構中，當行選信號或列選信號僅部分激活時，部分晶體管處于亞阈值導通狀态，導緻電流洩漏。

在技術實現中，半選電流的數值直接影響存儲器的靜态功耗與噪聲容限。例如，在6T-SRAM單元中，未被選中的字線（WL）電壓若未完全截止，會導緻位線（BL）與反相位線（BLB）之間形成寄生通路，産生10-100nA量級的非理想電流。工程師通常通過提升晶體管阈值電壓或采用動态電壓調節技術來抑制此類電流。

行業權威文獻《超大規模集成電路設計基礎》（ISBN 978-7-121-35011-2）第5章詳細推導了半選電流的數學模型：

I{hs} = beta cdot (V{GS} - V{th})^alpha cdot e^{frac{-V{DS}}{n cdot V_T}}}

其中β為工藝參數，α表征遷移率退化效應，n為亞阈值斜率因子。該模型被IEEE固态電路期刊（DOI: 10.1109/JSSC.2021.3076432）收錄的實驗數據驗證，證實其在7nm FinFET工藝中的適用性。

網絡擴展解釋

“半選電流”（Half-current）是電子工程領域中的專業術語，主要用于電路設計與存儲器矩陣操作場景。以下是具體解釋：

1.基本定義

半選電流指在矩陣型電路（如存儲器陣列）中，當某一行或某一列被“半選中”（即未完全激活）時，流經該單元的電流值。這種電流通常介于未選中狀态電流與全選中狀态電流之間。

2.技術背景

應用場景：常見于動态隨機存取存儲器（DRAM）或類似結構的集成電路中。例如，在矩陣尋址時，對某一行施加電壓（半選狀态），此時該行各單元可能産生部分電流，但未達到完全導通狀态。
作用：通過控制半選電流的大小，可以減少電路中的幹擾（如行/列間的串擾），同時降低功耗。

3.與其他術語的區分

滿偏電流（如提到的）：通常指二極管或晶體管在正向導通時的最大允許電流，與半選電流的物理意義不同。
電流強度（-5/7-8）：是電荷流動的量化指标，而半選電流特指矩陣電路中的部分導通狀态電流。

4.補充說明

英文對應：英語中譯為 half-current 或 half-select current。
單位與測量：與普通電流單位一緻（安培，A），但需通過電路參數（如電壓、電阻）間接計算。

若需進一步了解電路設計中的具體應用案例，可參考電子工程類教材或集成電路設計手冊。