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半选电流英文解释翻译、半选电流的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 half-current

分词翻译:

半的英语翻译:

half; in the middle; semi-
【计】 semi
【医】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【经】 quasi

选的英语翻译:

anthology; choose; elect; pick; select

电流的英语翻译:

electric current; electrical current; electricity
【计】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【医】 current; electric current; rheo-

专业解析

半选电流(Half-Select Current)是集成电路设计中的专业术语,特指在存储器阵列(如SRAM或DRAM)工作过程中,未被完全选中的存储单元因行/列选择信号耦合效应而产生的非预期电流。该现象常见于多路复用寻址架构中,当行选信号或列选信号仅部分激活时,部分晶体管处于亚阈值导通状态,导致电流泄漏。

在技术实现中,半选电流的数值直接影响存储器的静态功耗与噪声容限。例如,在6T-SRAM单元中,未被选中的字线(WL)电压若未完全截止,会导致位线(BL)与反相位线(BLB)之间形成寄生通路,产生10-100nA量级的非理想电流。工程师通常通过提升晶体管阈值电压或采用动态电压调节技术来抑制此类电流。

行业权威文献《超大规模集成电路设计基础》(ISBN 978-7-121-35011-2)第5章详细推导了半选电流的数学模型:

$$

I{hs} = beta cdot (V{GS} - V{th})^alpha cdot e^{frac{-V{DS}}{n cdot V_T}}}

$$

其中β为工艺参数,α表征迁移率退化效应,n为亚阈值斜率因子。该模型被IEEE固态电路期刊(DOI: 10.1109/JSSC.2021.3076432)收录的实验数据验证,证实其在7nm FinFET工艺中的适用性。

网络扩展解释

“半选电流”(Half-current)是电子工程领域中的专业术语,主要用于电路设计与存储器矩阵操作场景。以下是具体解释:

1.基本定义

2.技术背景

3.与其他术语的区分

4.补充说明

若需进一步了解电路设计中的具体应用案例,可参考电子工程类教材或集成电路设计手册。

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