二極管特性英文解釋翻譯、二極管特性的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 diode characteristic; diode detector
專業解析
二極管特性(Diode Characteristics)指半導體二極管在電路中所表現出的獨特電氣性能,其核心是單向導電性(Unidirectional Conductivity)。以下從漢英對照角度詳細解釋其關鍵特性:
1. 正向特性(Forward Characteristics)
- 定義:當二極管陽極(Anode)接正電壓、陰極(Cathode)接負電壓時,電流隨電壓增大而顯著增加的現象。
- 關鍵參數:
- 開啟電壓(Threshold Voltage):矽管約0.6–0.7V,鍺管約0.2–0.3V,低于此電壓時電流極小。
- 正向壓降(Forward Voltage Drop):導通後穩定電壓值,矽管約0.7V,鍺管約0.3V。
- 物理機制:正向偏壓下,PN結勢壘降低,多數載流子擴散形成電流。
2. 反向特性(Reverse Characteristics)
- 定義:二極管反向偏置時(陽極負、陰極正),僅有極小電流(反向飽和電流)通過。
- 關鍵參數:
- 反向飽和電流(Reverse Saturation Current, Iₛ):由少數載流子漂移形成,受溫度影響顯著。
- 反向擊穿電壓(Breakdown Voltage):超過此電壓時反向電流劇增,分為雪崩擊穿(Avalanche)和齊納擊穿(Zener)。
- 反向恢複時間(Reverse Recovery Time, tₛᵣ):開關二極管從導通到截止的延遲時間。
3. 溫度特性(Temperature Dependence)
- 正向特性:溫度每升高1°C,正向壓降減小約2mV。
- 反向特性:溫度每升高10°C,反向飽和電流約增大1倍。
- 擊穿電壓:雪崩擊穿電壓隨溫度升高而增大,齊納擊穿電壓則減小。
4. 動态特性(Dynamic Characteristics)
- 結電容(Junction Capacitance):
- 勢壘電容(Barrier Capacitance):由耗盡層電荷變化形成,與反向偏壓相關。
- 擴散電容(Diffusion Capacitance):正向偏壓下由載流子注入形成。
- 頻率響應:高頻時結電容導緻二極管阻抗下降,影響整流效率。
5. 典型應用特性
- 整流(Rectification):利用單向導電性将交流轉直流。
- 穩壓(Voltage Regulation):齊納二極管在反向擊穿區保持電壓穩定。
- 開關(Switching):快速切換導通/截止狀态(如肖特基二極管)。
- 發光(Light Emission):LED在正向偏壓下發射特定波長光子。
權威參考來源
- 《半導體器件物理》(Physics of Semiconductor Devices) - S.M. Sze
經典教材,詳述二極管物理機制與特性曲線。
- IEEE Xplore: Diode Characteristic Analysis
學術論文數據庫,提供最新研究數據(鍊接)。
- 安森美半導體技術文檔
行業标準參數手冊(鍊接)。
以上特性是二極管在電路設計與分析中的核心依據,實際應用中需結合具體型號的規格書(Datasheet)選擇參數。
網絡擴展解釋
關于“二極管特性”,其核心是指二極管在電路中的電壓-電流關系及功能表現,主要包括以下方面:
-
單向導電性
二極管最顯著的特點是隻允許電流從陽極(P型半導體)流向陰極(N型半導體),反向則阻斷電流。這一特性源于PN結的内建電場,在正向偏置時導通,反向偏置時截止。
-
伏安特性曲線
- 正向特性:當正向電壓超過阈值(矽管約0.7V,鍺管約0.3V),電流急劇上升,呈現指數增長。
- 反向特性:反向電壓下僅有微小漏電流(納安級);超過擊穿電壓後反向電流驟增,可能導緻器件損壞。
-
動态特性
包括反向恢複時間(開關二極管的重要參數)和結電容效應,影響高頻或開關電路中的響應速度。
-
溫度依賴性
正向壓降隨溫度升高而降低(約-2mV/℃),反向漏電流隨溫度升高而增大,擊穿電壓也會受溫度影響。
-
類型差異
- 穩壓二極管:利用反向擊穿區的穩壓特性
- 發光二極管(LED):正向導通時發射特定波長光
- 肖特基二極管:低壓降、快恢複,適用于高頻整流。
應用場景包括整流、穩壓、信號調制、靜電防護等。實際設計中需參考具體型號的datasheet選擇參數,如最大反向電壓、額定電流等。
分類
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