多存儲體存儲器英文解釋翻譯、多存儲體存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 multibank memory

分詞翻譯：

多的英語翻譯：

excessive; many; more; much; multi-
【計】 multi
【醫】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

存儲體的英語翻譯：

【計】 memory bank

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

多存儲體存儲器（Multi-Bank Memory）是一種計算機存儲架構設計，其核心特征是将物理存儲空間劃分為多個獨立且并行操作的存儲體（Bank）。這一設計通過交叉存取（Interleaving）技術實現數據訪問效率的提升，常用于現代處理器緩存、圖形顯存（如GDDR系列）及動态隨機存儲器（DRAM）中。

從結構上看，每個存儲體擁有獨立的地址解碼器和控制電路，允許不同存儲體在同一時鐘周期内響應多個讀寫請求。例如，當CPU訪問存儲體A時，存儲體B可同時進行刷新或預充電操作，從而避免傳統單一存儲體架構中因時序沖突導緻的延遲。該設計顯著提高了存儲器帶寬利用率，尤其適用于需要高吞吐量的場景，如實時圖像處理和大規模數據運算。

技術實現層面，多存儲體存儲器采用二維地址映射機制。以DDR4内存為例，其物理地址被分解為Bank組、Bank、行地址和列地址四部分。這種分層尋址方式使得不同Bank的讀寫操作可交替執行，理論上将峰值帶寬提升至單存儲體架構的N倍（N為Bank數量），具體公式可表示為： $$ text{理論帶寬} = text{單Bank帶寬} times N times text{總線時鐘倍頻系數} $$

根據計算機體系結構權威教材《計算機組成與設計：硬件/軟件接口》（David A. Patterson, John L. Hennessy）所述，多存儲體設計成功解決了馮·諾依曼架構中的"存儲牆"問題，通過空間并行性打破了傳統串行訪問的瓶頸。實際應用中，AMD Infinity Fabric架構和NVIDIA Hopper GPU的顯存控制器均采用自適應Bank調度算法，可根據訪問模式動态調整存儲體激活順序，實現95%以上的帶寬利用率。

該技術的最新發展體現在HBM（高帶寬内存）堆疊封裝中，TSV（矽通孔）技術将8個獨立存儲體垂直集成，在2.5D封裝基闆上實現每秒超過460GB的數據傳輸速率。Intel Optane持久内存則創新性地将多存儲體架構與非易失性存儲介質結合，同時滿足高帶寬和掉電數據保存的雙重需求。

網絡擴展解釋

“多存儲體存儲器”是一個計算機技術領域的術語，結合“存儲器”的基礎概念與“多存儲體”的結構特性，其含義可從以下兩方面解釋：

一、基礎概念

存儲器定義
存儲器是計算機中用于保存數據、指令和信息的核心部件，分為内存儲器（如内存）和外存儲器（如硬盤）兩大類。其主要功能是實現數據的快速存取與長期存儲。
“多存儲體”的延伸含義
“存儲體”（Memory Bank）指存儲器中可獨立操作的物理單元。多存儲體則表示由多個并行工作的存儲體組成的結構。這種設計通過分塊管理提升存取效率，例如減少訪問沖突、支持并行讀寫等。

二、技術特點與作用

性能優化：多存儲體可同時處理多個數據請求，適用于需要高帶寬的場景（如GPU顯存、多核CPU緩存）。
擴展性：通過增加存儲體數量，可靈活擴展存儲容量或帶寬。
容錯性：部分冗餘設計能通過備用存儲體提高系統可靠性。

三、典型應用場景

高性能計算中的分布式内存系統。
多通道内存技術（如DDR4/DDR5的多Bank架構）。
固态硬盤（SSD）中的多芯片并行存儲結構。

若需進一步了解具體實現或技術标準，可參考計算機組成原理相關文獻或行業技術文檔。