多存储体存储器英文解释翻译、多存储体存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 multibank memory

分词翻译：

多的英语翻译：

excessive; many; more; much; multi-
【计】 multi
【医】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

存储体的英语翻译：

【计】 memory bank

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

多存储体存储器（Multi-Bank Memory）是一种计算机存储架构设计，其核心特征是将物理存储空间划分为多个独立且并行操作的存储体（Bank）。这一设计通过交叉存取（Interleaving）技术实现数据访问效率的提升，常用于现代处理器缓存、图形显存（如GDDR系列）及动态随机存储器（DRAM）中。

从结构上看，每个存储体拥有独立的地址解码器和控制电路，允许不同存储体在同一时钟周期内响应多个读写请求。例如，当CPU访问存储体A时，存储体B可同时进行刷新或预充电操作，从而避免传统单一存储体架构中因时序冲突导致的延迟。该设计显著提高了存储器带宽利用率，尤其适用于需要高吞吐量的场景，如实时图像处理和大规模数据运算。

技术实现层面，多存储体存储器采用二维地址映射机制。以DDR4内存为例，其物理地址被分解为Bank组、Bank、行地址和列地址四部分。这种分层寻址方式使得不同Bank的读写操作可交替执行，理论上将峰值带宽提升至单存储体架构的N倍（N为Bank数量），具体公式可表示为： $$ text{理论带宽} = text{单Bank带宽} times N times text{总线时钟倍频系数} $$

根据计算机体系结构权威教材《计算机组成与设计：硬件/软件接口》（David A. Patterson, John L. Hennessy）所述，多存储体设计成功解决了冯·诺依曼架构中的"存储墙"问题，通过空间并行性打破了传统串行访问的瓶颈。实际应用中，AMD Infinity Fabric架构和NVIDIA Hopper GPU的显存控制器均采用自适应Bank调度算法，可根据访问模式动态调整存储体激活顺序，实现95%以上的带宽利用率。

该技术的最新发展体现在HBM（高带宽内存）堆叠封装中，TSV（硅通孔）技术将8个独立存储体垂直集成，在2.5D封装基板上实现每秒超过460GB的数据传输速率。Intel Optane持久内存则创新性地将多存储体架构与非易失性存储介质结合，同时满足高带宽和掉电数据保存的双重需求。

网络扩展解释

“多存储体存储器”是一个计算机技术领域的术语，结合“存储器”的基础概念与“多存储体”的结构特性，其含义可从以下两方面解释：

一、基础概念

存储器定义
存储器是计算机中用于保存数据、指令和信息的核心部件，分为内存储器（如内存）和外存储器（如硬盘）两大类。其主要功能是实现数据的快速存取与长期存储。
“多存储体”的延伸含义
“存储体”（Memory Bank）指存储器中可独立操作的物理单元。多存储体则表示由多个并行工作的存储体组成的结构。这种设计通过分块管理提升存取效率，例如减少访问冲突、支持并行读写等。

二、技术特点与作用

性能优化：多存储体可同时处理多个数据请求，适用于需要高带宽的场景（如GPU显存、多核CPU缓存）。
扩展性：通过增加存储体数量，可灵活扩展存储容量或带宽。
容错性：部分冗余设计能通过备用存储体提高系统可靠性。

三、典型应用场景

高性能计算中的分布式内存系统。
多通道内存技术（如DDR4/DDR5的多Bank架构）。
固态硬盘（SSD）中的多芯片并行存储结构。

若需进一步了解具体实现或技术标准，可参考计算机组成原理相关文献或行业技术文档。