
【醫】 law of anticipation; Mott's law
莫特氏定律(Mott's Law)是凝聚态物理學中描述電子在無序系統中導電行為的重要理論,由英國物理學家内維爾·弗朗西斯·莫特(Nevill Francis Mott) 提出。該定律的核心在于解釋非晶态半導體和某些絕緣體在低溫下的變程跳躍電導(Variable Range Hopping, VRH) 現象,其電導率(σ)隨溫度(T)的變化遵循特定的指數關系:
定律表達式
$$ sigma propto expleft[-left(frac{T_0}{T}right)^{frac{1}{d+1}}right] $$ 其中:
物理背景
在無序材料(如非晶半導體)中,電子态呈現局域化特征,電子需通過“跳躍”機制穿越勢壘實現導電。莫特指出,在低溫下電子傾向于選擇能量相近且空間距離更遠的态進行跳躍,以優化隧穿概率與熱激活能的平衡,此即變程跳躍。
定律内涵
應用範圍
適用于非晶矽、硫系玻璃、有機半導體等無序體系,尤其在低溫區(通常低于 100 K)的實驗數據與莫特定律吻合顯著。
原始論文
Mott, N. F. (1969). "Conduction in non-crystalline materials". Philosophical Magazine.
► 查看摘要
經典著作
Mott, N. F., & Davis, E. A. (1979). Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford University Press.
► 書籍目錄
綜述研究
Shklovskii, B. I., & Efros, A. L. (1984). Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer.
► 章節預覽
實驗驗證
Overhof, H., & Thomas, P. (1989). "Electronic Transport in Hydrogenated Amorphous Silicon". Springer Tracts in Modern Physics.
► 文獻索引
中文 | 英文 |
---|---|
莫特氏定律 | Mott's Law |
變程跳躍 | Variable Range Hopping (VRH) |
局域态 | Localized States |
非晶半導體 | Amorphous Semiconductor |
電導率 | Electrical Conductivity |
此定律深刻揭示了無序體系中量子輸運的物理圖像,為後續研究電子玻璃态、安德森局域化等理論奠定了基礎。
莫特氏定律(Mott's law)是醫學領域尤其是精神病學中的一個術語,主要描述遺傳性精神疾病在代際傳遞中的發病年齡變化規律。以下是詳細解釋:
核心定義
該定律指出:後代精神病患者的發病年齡會比上一代更早。例如,若父輩在40歲發病,子輩可能在30歲左右出現症狀。
學術背景
潛在機制
盡管搜索結果未明确說明原理,但現代醫學認為可能與以下因素有關:
注意事項
如需更深入的信息,可參考遺傳精神病學領域關于“遺傳早現”(genetic anticipation)的研究文獻。
擺動帳戶膀胱輸尿管炎償債比率出口定單單位量防蝕成分複方番瀉葉糖劑符合運算負向鉗位紅龍船花或非門堿量滴定分析法減速化結核菌蛋白卡藜靈空頭幫離散地址螺模頭抹音器嘌呤氧化酶皮帶扣丘疹形成軟件冗餘法篩筒式離心機施瓦耳貝氏孔收條塔底産物臀股的未分配利潤威懾