
【医】 law of anticipation; Mott's law
莫特氏定律(Mott's Law)是凝聚态物理学中描述电子在无序系统中导电行为的重要理论,由英国物理学家内维尔·弗朗西斯·莫特(Nevill Francis Mott) 提出。该定律的核心在于解释非晶态半导体和某些绝缘体在低温下的变程跳跃电导(Variable Range Hopping, VRH) 现象,其电导率(σ)随温度(T)的变化遵循特定的指数关系:
定律表达式
$$ sigma propto expleft[-left(frac{T_0}{T}right)^{frac{1}{d+1}}right] $$ 其中:
物理背景
在无序材料(如非晶半导体)中,电子态呈现局域化特征,电子需通过“跳跃”机制穿越势垒实现导电。莫特指出,在低温下电子倾向于选择能量相近且空间距离更远的态进行跳跃,以优化隧穿概率与热激活能的平衡,此即变程跳跃。
定律内涵
应用范围
适用于非晶硅、硫系玻璃、有机半导体等无序体系,尤其在低温区(通常低于 100 K)的实验数据与莫特定律吻合显著。
原始论文
Mott, N. F. (1969). "Conduction in non-crystalline materials". Philosophical Magazine.
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经典著作
Mott, N. F., & Davis, E. A. (1979). Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford University Press.
► 书籍目录
综述研究
Shklovskii, B. I., & Efros, A. L. (1984). Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer.
► 章节预览
实验验证
Overhof, H., & Thomas, P. (1989). "Electronic Transport in Hydrogenated Amorphous Silicon". Springer Tracts in Modern Physics.
► 文献索引
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莫特氏定律 | Mott's Law |
变程跳跃 | Variable Range Hopping (VRH) |
局域态 | Localized States |
非晶半导体 | Amorphous Semiconductor |
电导率 | Electrical Conductivity |
此定律深刻揭示了无序体系中量子输运的物理图像,为后续研究电子玻璃态、安德森局域化等理论奠定了基础。
莫特氏定律(Mott's law)是医学领域尤其是精神病学中的一个术语,主要描述遗传性精神疾病在代际传递中的发病年龄变化规律。以下是详细解释:
核心定义
该定律指出:后代精神病患者的发病年龄会比上一代更早。例如,若父辈在40岁发病,子辈可能在30岁左右出现症状。
学术背景
潜在机制
尽管搜索结果未明确说明原理,但现代医学认为可能与以下因素有关:
注意事项
如需更深入的信息,可参考遗传精神病学领域关于“遗传早现”(genetic anticipation)的研究文献。
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