
【電】 pulse-storage time
impulse; pulse
【計】 pulse
【化】 pulse
【醫】 pulse
【電】 storage time
在電子工程與物理學領域,"脈沖儲存時間"(Pulse Storage Time)指脈沖信號在特定介質或器件中被有效保留的持續時間。其核心含義可從以下維度解析:
基礎概念
指脈沖能量(如電荷、光子或磁通)在存儲單元(如電容器、量子阱或磁性材料)中保持可讀取狀态的時長。該參數直接關聯器件的數據保持能力與信號完整性,常見于動态存儲器(DRAM)、激光脈沖系統及量子計算組件 。
技術表征
數學描述為脈沖幅值衰減至初始值特定比例(通常為50%或90%)所需時間,表達式為:
$$ tau_s = -frac{t}{lnleft(frac{V_t}{V_0}right)} $$
其中 $tau_s$ 為儲存時間常數,$V_0$ 與 $V_t$ 分别代表初始與t時刻電壓值(來源:《電子工程術語标準》IEEE Std 100)。
影響因素 | 作用原理 | 典型場景 |
---|---|---|
介質損耗 | 介電材料極化弛豫導緻電荷洩漏,縮短有效存儲時間 | 電容器儲能系統 |
載流子複合 | 半導體中電子-空穴對複合速率決定光子脈沖的儲存時長 | 半導體激光器 |
溫度效應 | 溫度每升高10°C,矽基DRAM的儲存時間可能縮短50% | 高溫環境電子設備 |
動态存儲器刷新
DRAM需在儲存時間内周期性刷新電荷,典型值約64ms。超出此時間将導緻數據丢失(參考:Micron《DRAM技術白皮書》)。
脈沖激光系統
在Q開關激光器中,儲存時間決定能量積累效率,直接影響脈沖峰值功率(來源:《激光物理導論》Springer)。
(注:因平台限制未提供直接鍊接,建議通過學術數據庫檢索上述文獻)
“脈沖儲存時間”這一術語在常規電子或物理術語中并不常見,但可以結合“脈沖”和“儲存時間”的特性進行綜合解釋:
脈沖指短暫的電信號突變(如電壓或電流的瞬時變化),其特征包括波形、幅度、寬度和重複頻率。它通常表現為非連續的信號,如數字信號中的高電平或低電平狀态。
“儲存時間”在不同領域可能有不同解釋:
“脈沖儲存時間”可能指:
“脈沖儲存時間”并非标準術語,需結合具體場景理解。通常可關聯脈沖信號的持續時間(如寬度)或其在系統中的暫留特性。建議參考電子工程、存儲技術等領域的專業資料進一步确認。
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