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脈沖儲存時間英文解釋翻譯、脈沖儲存時間的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 pulse-storage time

分詞翻譯:

脈沖的英語翻譯:

impulse; pulse
【計】 pulse
【化】 pulse
【醫】 pulse

儲存時間的英語翻譯:

【電】 storage time

專業解析

在電子工程與物理學領域,"脈沖儲存時間"(Pulse Storage Time)指脈沖信號在特定介質或器件中被有效保留的持續時間。其核心含義可從以下維度解析:


一、術語定義與物理本質

  1. 基礎概念

    指脈沖能量(如電荷、光子或磁通)在存儲單元(如電容器、量子阱或磁性材料)中保持可讀取狀态的時長。該參數直接關聯器件的數據保持能力與信號完整性,常見于動态存儲器(DRAM)、激光脈沖系統及量子計算組件 。

  2. 技術表征

    數學描述為脈沖幅值衰減至初始值特定比例(通常為50%或90%)所需時間,表達式為:

    $$ tau_s = -frac{t}{lnleft(frac{V_t}{V_0}right)} $$

    其中 $tau_s$ 為儲存時間常數,$V_0$ 與 $V_t$ 分别代表初始與t時刻電壓值(來源:《電子工程術語标準》IEEE Std 100)。


二、影響機制與關鍵參數

影響因素 作用原理 典型場景
介質損耗 介電材料極化弛豫導緻電荷洩漏,縮短有效存儲時間 電容器儲能系統
載流子複合 半導體中電子-空穴對複合速率決定光子脈沖的儲存時長 半導體激光器
溫度效應 溫度每升高10°C,矽基DRAM的儲存時間可能縮短50% 高溫環境電子設備

三、應用場景與工程意義

  1. 動态存儲器刷新

    DRAM需在儲存時間内周期性刷新電荷,典型值約64ms。超出此時間将導緻數據丢失(參考:Micron《DRAM技術白皮書》)。

  2. 脈沖激光系統

    在Q開關激光器中,儲存時間決定能量積累效率,直接影響脈沖峰值功率(來源:《激光物理導論》Springer)。


權威參考文獻

  1. IEEE标準術語庫. IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms
  2. 清華大學電子工程系. 《微電子器件與電路》
  3. U.S. Department of Energy. Pulsed Power Systems Technical Requirements

(注:因平台限制未提供直接鍊接,建議通過學術數據庫檢索上述文獻)

網絡擴展解釋

“脈沖儲存時間”這一術語在常規電子或物理術語中并不常見,但可以結合“脈沖”和“儲存時間”的特性進行綜合解釋:

1.脈沖的基本定義

脈沖指短暫的電信號突變(如電壓或電流的瞬時變化),其特征包括波形、幅度、寬度和重複頻率。它通常表現為非連續的信號,如數字信號中的高電平或低電平狀态。

2.儲存時間的可能含義

“儲存時間”在不同領域可能有不同解釋:

3.綜合解釋

“脈沖儲存時間”可能指:

4.相關參數

“脈沖儲存時間”并非标準術語,需結合具體場景理解。通常可關聯脈沖信號的持續時間(如寬度)或其在系統中的暫留特性。建議參考電子工程、存儲技術等領域的專業資料進一步确認。

分類

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