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脉冲储存时间英文解释翻译、脉冲储存时间的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 pulse-storage time

分词翻译:

脉冲的英语翻译:

impulse; pulse
【计】 pulse
【化】 pulse
【医】 pulse

储存时间的英语翻译:

【电】 storage time

专业解析

在电子工程与物理学领域,"脉冲储存时间"(Pulse Storage Time)指脉冲信号在特定介质或器件中被有效保留的持续时间。其核心含义可从以下维度解析:


一、术语定义与物理本质

  1. 基础概念

    指脉冲能量(如电荷、光子或磁通)在存储单元(如电容器、量子阱或磁性材料)中保持可读取状态的时长。该参数直接关联器件的数据保持能力与信号完整性,常见于动态存储器(DRAM)、激光脉冲系统及量子计算组件 。

  2. 技术表征

    数学描述为脉冲幅值衰减至初始值特定比例(通常为50%或90%)所需时间,表达式为:

    $$ tau_s = -frac{t}{lnleft(frac{V_t}{V_0}right)} $$

    其中 $tau_s$ 为储存时间常数,$V_0$ 与 $V_t$ 分别代表初始与t时刻电压值(来源:《电子工程术语标准》IEEE Std 100)。


二、影响机制与关键参数

影响因素 作用原理 典型场景
介质损耗 介电材料极化弛豫导致电荷泄漏,缩短有效存储时间 电容器储能系统
载流子复合 半导体中电子-空穴对复合速率决定光子脉冲的储存时长 半导体激光器
温度效应 温度每升高10°C,硅基DRAM的储存时间可能缩短50% 高温环境电子设备

三、应用场景与工程意义

  1. 动态存储器刷新

    DRAM需在储存时间内周期性刷新电荷,典型值约64ms。超出此时间将导致数据丢失(参考:Micron《DRAM技术白皮书》)。

  2. 脉冲激光系统

    在Q开关激光器中,储存时间决定能量积累效率,直接影响脉冲峰值功率(来源:《激光物理导论》Springer)。


权威参考文献

  1. IEEE标准术语库. IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms
  2. 清华大学电子工程系. 《微电子器件与电路》
  3. U.S. Department of Energy. Pulsed Power Systems Technical Requirements

(注:因平台限制未提供直接链接,建议通过学术数据库检索上述文献)

网络扩展解释

“脉冲储存时间”这一术语在常规电子或物理术语中并不常见,但可以结合“脉冲”和“储存时间”的特性进行综合解释:

1.脉冲的基本定义

脉冲指短暂的电信号突变(如电压或电流的瞬时变化),其特征包括波形、幅度、宽度和重复频率。它通常表现为非连续的信号,如数字信号中的高电平或低电平状态。

2.储存时间的可能含义

“储存时间”在不同领域可能有不同解释:

3.综合解释

“脉冲储存时间”可能指:

4.相关参数

“脉冲储存时间”并非标准术语,需结合具体场景理解。通常可关联脉冲信号的持续时间(如宽度)或其在系统中的暂留特性。建议参考电子工程、存储技术等领域的专业资料进一步确认。

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