漏流電阻英文解釋翻譯、漏流電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 leak resistance

分詞翻譯：

漏的英語翻譯：

leak; leave out; seep; spillage; water clock
【機】 leak; leakage; leaking

流電的英語翻譯：

galvanism
【醫】 galvanic electricity; galvanism; galvano-; voltaic electricity
voltaism

阻的英語翻譯：

block; hinder; obstruct
【醫】 lock

專業解析

在電子工程領域，"漏流電阻"（Leakage Resistance）指電子元件或電路中存在的非理想絕緣特性導緻的寄生電阻路徑。其主要特性與應用解析如下：

一、核心定義與物理特性

漢英對照釋義
- 中文術語：漏流電阻
- 英文術語：Leakage Resistance
- 定義：當理想絕緣介質在實際工作中無法完全阻斷電流時，等效形成的寄生電阻值。該電阻與漏電流（Leakage Current）成反比關系，即 ( R{text{leak}} = frac{V}{I{text{leak}}} )，其中 ( V ) 為施加電壓，( I_{text{leak}} ) 為漏電流。
非理想性本質
實際器件（如電容、晶體管、PCB絕緣層）的介質材料存在微量載流子，在電壓梯度下形成納安至微安級電流通路。漏流電阻值通常高達兆歐（MΩ）至吉歐（GΩ）量級，但仍顯著低于理想絕緣體的理論阻值（>10 TΩ）。

二、典型應用場景與工程影響

關鍵器件中的表現
- 電容器：介質漏電阻導緻儲能損耗，影響濾波精度（如電解電容漏阻約100kΩ–1MΩ，陶瓷電容可達10GΩ以上）。
- 晶體管：PN結反向偏置時，集電極-基極漏電阻（( R_{CBO} )）引發靜态功耗升高，制約高頻電路能效。
- 高壓系統：絕緣子表面污穢形成漏電阻通路，可能引發爬電放電事故。
設計考量因素
高漏流電阻可降低靜态功耗與信號失真，但受限于材料純度、溫升效應及制造工藝。例如CMOS芯片的亞阈值漏電流隨溫度指數增長，需通過高K介質優化漏阻。

權威參考文獻

半導體器件物理
Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (4th ed.). McGraw-Hill, 2012. (Chapter 6: PN結漏電流模型)

電容技術規範
Murata, "Ceramic Capacitor Characteristics", TDK Technical Note. Murata官網

絕緣設計标準
IEC 60664-1:2020 Insulation coordination for equipment within low-voltage systems.

注：因搜索結果未提供可直接引用的網頁鍊接，以上來源依據經典教材與行業标準文件。建議通過IEEE Xplore或IEC官網獲取最新技術文獻以驗證數據。

網絡擴展解釋

“漏流電阻”可能是“漏電電阻”的筆誤。以下是關于“漏電電阻”的詳細解釋：

一、定義與物理意義

漏電電阻（也稱絕緣電阻）是指電容器兩極之間介質的電阻值。由于電容介質并非絕對絕緣體，該電阻值有限，通常在數百千歐級别（如534KΩ、652KΩ），其大小直接影響電容器性能。

二、計算公式

漏電電阻的計算公式為： $$ R{leak} = frac{U}{I{leak}} $$ 其中：

$U$為電容器額定工作電壓
$I_{leak}$為漏電流

阻值越大，表示介質絕緣性能越好。

三、影響因素與要求

數值要求：漏電電阻越大越好，阻值過低會導緻：
- 電容器發熱損耗能量
- 縮短電容器壽命
- 影響電路穩定性（如信號失真）
材料差異：
- 電解電容漏電流相對較大
- 陶瓷/薄膜電容漏電電阻可達數萬兆歐

四、實際應用

在電源濾波、信號耦合等高頻電路中，需選擇高漏電電阻的電容，以避免直流分量洩露導緻電路功能異常。工業設備中該參數是電容器品質檢測的重要指标。