
【电】 leak resistance
leak; leave out; seep; spillage; water clock
【机】 leak; leakage; leaking
galvanism
【医】 galvanic electricity; galvanism; galvano-; voltaic electricity
voltaism
block; hinder; obstruct
【医】 lock
在电子工程领域,"漏流电阻"(Leakage Resistance)指电子元件或电路中存在的非理想绝缘特性导致的寄生电阻路径。其主要特性与应用解析如下:
汉英对照释义
非理想性本质
实际器件(如电容、晶体管、PCB绝缘层)的介质材料存在微量载流子,在电压梯度下形成纳安至微安级电流通路。漏流电阻值通常高达兆欧(MΩ)至吉欧(GΩ)量级,但仍显著低于理想绝缘体的理论阻值(>10 TΩ)。
关键器件中的表现
设计考量因素
高漏流电阻可降低静态功耗与信号失真,但受限于材料纯度、温升效应及制造工艺。例如CMOS芯片的亚阈值漏电流随温度指数增长,需通过高K介质优化漏阻。
Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (4th ed.). McGraw-Hill, 2012. (Chapter 6: PN结漏电流模型)
Murata, "Ceramic Capacitor Characteristics", TDK Technical Note. Murata官网
IEC 60664-1:2020 Insulation coordination for equipment within low-voltage systems.
注:因搜索结果未提供可直接引用的网页链接,以上来源依据经典教材与行业标准文件。建议通过IEEE Xplore或IEC官网获取最新技术文献以验证数据。
“漏流电阻”可能是“漏电电阻”的笔误。以下是关于“漏电电阻”的详细解释:
漏电电阻(也称绝缘电阻)是指电容器两极之间介质的电阻值。由于电容介质并非绝对绝缘体,该电阻值有限,通常在数百千欧级别(如534KΩ、652KΩ),其大小直接影响电容器性能。
漏电电阻的计算公式为: $$ R{leak} = frac{U}{I{leak}} $$ 其中:
阻值越大,表示介质绝缘性能越好。
数值要求:漏电电阻越大越好,阻值过低会导致:
材料差异:
在电源滤波、信号耦合等高频电路中,需选择高漏电电阻的电容,以避免直流分量泄露导致电路功能异常。工业设备中该参数是电容器品质检测的重要指标。
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