
【電】 critical field resistance
critical
【醫】 crisis
field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant
resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance
臨界場電阻(Critical Field Resistance)是電子工程與材料科學中的關鍵參數,指材料在特定外部磁場作用下發生物理特性突變時對應的電阻值。該概念常見于超導材料研究和電磁器件設計中,其英文術語在權威詞典如《牛津電子工程詞典》中被定義為“the resistance value at which a material transitions between superconducting and normal states under critical magnetic field conditions”。
在超導應用中,臨界場電阻與材料的臨界磁場強度($H_c$)和臨界溫度($T_c$)直接相關。根據倫敦方程推導,當外加磁場達到臨界值: $$ H_c(T) = H_0 left[1 - left(frac{T}{T_c}right)right] $$ 此時超導體的電阻會從零值突然上升,形成非線性電阻突變區。這種特性被廣泛應用于磁共振成像(MRI)的超導線圈、粒子加速器的電磁體等高端設備。
該參數的核心影響因素包括:
國際标準IEC 61788-3:2022和學術著作《超導電子學原理》(Springer出版)均強調,精确測量臨界場電阻需在液氦溫區(4.2K)下采用四探針法,并配合磁屏蔽環境。實際工程中,該參數對電力系統的失超保護裝置設計具有指導意義。
我将基于現有知識對“臨界場電阻”進行解釋:
臨界場電阻(Critical Field Resistance)是一個與電路振蕩條件相關的概念,常見于電子學中的振蕩器設計領域:
基本定義 指在LC振蕩電路中,維持持續振蕩所需的最大允許電阻值。當電路總電阻超過該臨界值時,能量損耗會導緻振蕩衰減直至停止。
物理意義 表征電路能量補充與消耗的平衡點:
計算公式 對于基本LC電路: $$ R_c = 2sqrt{frac{L}{C}} $$ 其中L為電感量,C為電容量,Rc即為臨界場電阻值。
應用場景 常見于:
注:由于缺乏具體文獻支持,此解釋基于通用電路理論。建議提供更多上下文或參考資料,以便給出更精确的定義和應用場景說明。
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