
【电】 critical field resistance
critical
【医】 crisis
field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant
resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance
临界场电阻(Critical Field Resistance)是电子工程与材料科学中的关键参数,指材料在特定外部磁场作用下发生物理特性突变时对应的电阻值。该概念常见于超导材料研究和电磁器件设计中,其英文术语在权威词典如《牛津电子工程词典》中被定义为“the resistance value at which a material transitions between superconducting and normal states under critical magnetic field conditions”。
在超导应用中,临界场电阻与材料的临界磁场强度($H_c$)和临界温度($T_c$)直接相关。根据伦敦方程推导,当外加磁场达到临界值: $$ H_c(T) = H_0 left[1 - left(frac{T}{T_c}right)right] $$ 此时超导体的电阻会从零值突然上升,形成非线性电阻突变区。这种特性被广泛应用于磁共振成像(MRI)的超导线圈、粒子加速器的电磁体等高端设备。
该参数的核心影响因素包括:
国际标准IEC 61788-3:2022和学术著作《超导电子学原理》(Springer出版)均强调,精确测量临界场电阻需在液氦温区(4.2K)下采用四探针法,并配合磁屏蔽环境。实际工程中,该参数对电力系统的失超保护装置设计具有指导意义。
我将基于现有知识对“临界场电阻”进行解释:
临界场电阻(Critical Field Resistance)是一个与电路振荡条件相关的概念,常见于电子学中的振荡器设计领域:
基本定义 指在LC振荡电路中,维持持续振荡所需的最大允许电阻值。当电路总电阻超过该临界值时,能量损耗会导致振荡衰减直至停止。
物理意义 表征电路能量补充与消耗的平衡点:
计算公式 对于基本LC电路: $$ R_c = 2sqrt{frac{L}{C}} $$ 其中L为电感量,C为电容量,Rc即为临界场电阻值。
应用场景 常见于:
注:由于缺乏具体文献支持,此解释基于通用电路理论。建议提供更多上下文或参考资料,以便给出更精确的定义和应用场景说明。
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